［SSDP用加工］基板側からの測定用加工

基板側からの測定ができるように基板を削って薄片化

凹凸、イオン照射により表面側に存在する原子が奥側に押し込まれるノックオン効果やクレーター底面粗れ等の現象により、急峻な元素分布を得られない場合があります。この問題を解決するために、薄片化加工を行った基板側（裏面側）からSIMS分析を行うのがSSDP法（Back-Side SIMS法）です。この手法により、試料形状や測定条件に起因する影響を受けることなく、より正確な元素分布評価が可能になります。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】プリント基板からの溶出成分の分析

液体試料中の陽イオン成分の分析が可能です

日常の様々な場所で電子機器が使われるようになり、製品の信頼性確保が重要となっています。 プリント基板は高温・高湿度の環境で、配線に用いられているCuがマイグレーションを起こして不良となることが考えられるため、マイグレーションを助長する成分を評価することが重要です。 本事例ではイオンクロマトグラフ...

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【分析事例】プリント基板上有機物系異物の評価

適切なサンプリングと顕微測定で異物周辺情報の影響を軽減

サンプリングを併用した顕微FT-IR分析が有効な異物の評価事例を紹介します。 下地の影響がほとんど無い電極上異物はフラックスと同定されましたが、プリント基板上異物からは異物由来の情報が取得できませんでした（図1）。無機結晶上にサンプリングを行うことで異物の情報が得られ、異物はフラックスと同定されました（図2）。...

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【分析事例】低分子シロキサンの定量分析

アウトガス中のシロキサンをngオーダーで定量します

シリコーン製品からアウトガスとして発生するシロキサンは、揮発しやすく基板等に付着しやすい成分です。シロキサンが付着すると、光学系レンズの曇り、膜の剥離や密着不良、リレー回路の接点障害などの悪影響が出ることが知られており、シロキサンのアウトガス量を調査しておくことは重要で...

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【分析事例】TDSによるSiN膜の昇温脱離ガス分析

薄膜の表面吸着ガス、膜中からの脱離ガスを評価可能

Si基板上SiN膜に関するTDS分析結果を示します。 100℃近傍までの低温域では脱ガスが少なく、試料の表面に吸着成分が少なかったことが分かります。 一方、試料の温度が上昇するに従い、m/z 2（H2）...

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【分析事例】フラックスの洗浄残渣評価

微小・極薄の残渣をイメージとして捉えます

リーハンダ導入に伴い、フラックス成分も改良（活性度が高い、熱耐性がある等）が進み、腐食性が大きくなり、残渣の問題も重要度を増しています。そのため、フラックスを除去することが求められています。プリント基板電極部の異物について、TOF-SIMSを用いた分析を行った結果、フラックスの成分が検出されました。...

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【分析事例】プリント基板上有機物系異物の評価

適切なサンプリングで異物周辺情報の影響を軽減

。異物の下地の情報も併せて検出してしまい評価が困難となる場合には、サンプリングを併用することにより測定が可能となります。 下地の影響のほとんど無い電極上異物はフラックスと同定されましたが、プリント基板上異物は異物由来の情報が取得できませんでした（図1）。下地の影響の無い無機結晶上にサンプリングを行うことで、異物の情報が得られ、異物はフラックスと同定されました（図2）。...

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【分析事例】TDSによる脱離成分の推定

複数質量の脱ガスパターンを比較します

比（m/z）に対して複数の成分が検出されることがあります。このような場合でも、複数の質量について測定を行い脱ガスパターンを比較することで、昇温加熱により脱離した成分を推定することが可能です。 Si基板上W膜のTDS分析結果を例に、水とアンモニア（m/z=17）、有機物とアルゴン（m/z=40）の成分推定方法について説明します。...

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