• 東北大学技術:窒化物半導体自立基板作製方法:T14-121 製品画像

    東北大学技術:窒化物半導体自立基板作製方法:T14-121

    窒化物半導体結晶のブールを形成し、より安価にGaNを作製可能に

    の発光ダイオードや、発振波長が紫外域から赤外域の半導体レーザの材料として有望視されている。しかし、窒素の気相・固相間の平衡蒸気圧が従来からあるIII-V族半導体材料に較べて数桁高いため、GaN単結晶基板を安価で作製することはできない。また、「自立基板」と称されるGaN基板を用いる方法もあるが、現状の作製技術では高いコストを要するといった課題がある。 本発明によって、より安価に貫通転位密度の少ない...

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  • 東北大学技術:AlN膜を有する基板および製造方法:T13-034 製品画像

    東北大学技術:AlN膜を有する基板および製造方法:T13-034

    安価なサファイヤ基板上に、“超高品質”な窒化アルミニウム膜を作製可能!…

    害物質の分解、He-Cdレーザ、水銀灯の代替など、次世代の光源として幅広く注目されている。 この紫外発光素子は、ワイドギャップ半導体と呼ばれるAlGaN系窒化物半導体からなり、サファイアなどの異種基板上に積層される。一方、サファイア上に成長したAlN膜には多数の貫通転位が存在し品質が悪いといった課題があった。  本発明は、サファイア上に成長したAlN膜を有する基板をN2/CO混合ガス中で熱処...

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  • 東北大学技術:高密度プラズマスパッタリング装置:T16-141 製品画像

    東北大学技術:高密度プラズマスパッタリング装置:T16-141

    基板ダメージが少ない/イオン量とエネルギーを独立制御/磁性体ターゲット…

    デバイスの微細化の進展または薄膜結晶の高品質化の要求が高まるにつれて、スパッタリングにおいて基板へのイオンダメージが大きな問題となっている。従来広く利用されているマグネトロンスパッタ法では、ターゲット材と基板の間に直接プラズマを形成するため、「1 イオンダメージの回避が困難」であり、高密度プラ...

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  • 東北大学技術:多結晶ホイスラー合金薄膜:T20-2968 製品画像

    東北大学技術:多結晶ホイスラー合金薄膜:T20-2968

    多結晶でも単結晶と同レベルの特性を示し、フレキシブル基板上に製膜可能

    、大きな異常ネルンスト効果や異常ホール効果を示すため、高感度センサや高効率熱電変換素子の候補材料として注目を集めている。上記の優れた特性を発現させるためには、単結晶成長させたバルク材料、または単結晶基板上に成長させた単結晶薄膜が必要と考えられ、そのような試料が作製されている。しかしながら、実際のデバイスへの応用を視野に入れると、単結晶基板を用いない多結晶膜において単結晶の材料と同等の特性を示すこと...

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  • 東北大学技術:微小粒子の結晶構造解析方法:T19-601 製品画像

    東北大学技術:微小粒子の結晶構造解析方法:T19-601

    微小粒子研究者の困難を解消するEBSDサンプルホルダー が実現可能に!

    とは、その特性を知るうえで重要となっている。金属の結晶構造解析は、走査型電子顕微鏡による電子後方散乱回折(EBSD)法を利用した測定が好ましい。 従来のEBSD法を用いた結晶構造解析方法では、導電性基板上に試料を配置したり、表面に導電性コーティングを施した樹脂に試料を埋め込んだりして観察試料を作製している。しかし、サブミクロン程度の微小金属粒子を試料とした場合、導電性基板からの回折がバックグラウン...

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  • 東北大学技術:λ型Ti3O5薄膜:T20-3141 製品画像

    東北大学技術:λ型Ti3O5薄膜:T20-3141

    比較的容易に作製可能、大面積(5×5mm以上)、安定して相転移を確認

    し、パルスレーザー堆積(PLD)法において、実施可能な程度に容易な工夫を施すことで、デバイス応用が期待される大面積(5×5mm以上)のλ-Ti3O5薄膜を提供することを可能とする。 また従来法では基板上に直接λ-Ti3O5を作製することができず、中間にシード層が必要であったため、シード層の成分がλ-Ti3O5に拡散し、相転移を示さないことが問題であった。それに対して本発明は、シード層を介さず基板...

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  • 東北大学技術:軟質薄膜の物性値測定方法:T06-028 製品画像

    東北大学技術:軟質薄膜の物性値測定方法:T06-028

    超音波を用い厚さ数μmの高分子膜の密度を測定。

    度の薄い高分子製などの軟質薄膜に対し、超音波エコーの振幅スペクトルを解析し、超音波が軟質薄膜を通過する際に生じる音響共鳴現象を利用して単体の軟質薄膜の物性値を高精度に測定する方法である。従来法では、基板上に密着した薄膜の物性値を測定することは可能であったが、単体の薄膜を測定することは困難とされていた。本測定方法では、特殊構造の治具に薄膜を保持させ、真空引きすることにより、薄膜を基板に密着させて、超...

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  • 東北大学ルチル型二酸化チタン光触媒T07-233,T09-030 製品画像

    東北大学ルチル型二酸化チタン光触媒T07-233,T09-030

    低コストかつ簡便に、光触媒性能と親水性に優れた二酸化チタン薄膜を作製可…

    実用の二酸化チタン光触媒は粉末を原材料とすることが多く、基板への固定化や密着性が産業利用上の課題であった。また、二酸化チタンは紫外光には活性だが、太陽光などの自然光の活性が乏しい点も長年の課題である。  本発明は、陽極酸化法を用いたルチル型二酸化チタン薄膜...

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  • 東北大学技術:ポリイミドより強靭な樹脂モールド:T11-053 製品画像

    東北大学技術:ポリイミドより強靭な樹脂モールド:T11-053

    押し込み弾性率8.4 GPa!原版モールドの複製や欠陥検査を安価に実現

    簡便に製造できる。さらに、耐熱性と紫外光透過性を併せ持つため、熱ナノインプリントと光ナノインプリントの両方に適用可能である。なお、パターンの粗密がある原版モールドのレプリカ製造には、孔版印刷を用いて基板に樹脂を塗布しておくことが有効である。...

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  • 東北大学技術:窒化アルミニウム結晶:T22-259 製品画像

    東北大学技術:窒化アルミニウム結晶:T22-259

    これまでにない、高い成長速度を実現!

     深紫外発光素子(DUV-LED)はAlGaN系窒化物半導体から作製される。そのAlGaN系DUV-LEDの基板材料には、AlGaNとの高い格子整合性、AlGaNよりも広いバンドギャップ、および高い熱伝導率が求められ、それらの条件を満たす窒化アルミニウム(AlN)が注目されている。  AlNは高温で高解離圧...

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    東北大学技術:単結晶の窒化アルミニウム種晶:T21-263

    低温・ 温度制御が容易・大きい成長速度でAlN種晶を作製可能

    深紫外発光素子(DUV-LED)はAlGaN系窒化物半導体から作製される。そのAlGaN系DUV-LEDの基板材料には、AlGaNとの高い格子整合性、AlGaNよりも広いバンドギャップ、および高い熱伝導率が求められ、それらの条件を満たす窒化アルミニウム(AlN)が注目されている。  AlN単結晶作製の従来...

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  • 【東北大学技術】均一な残膜が得られる光ナノインプリント方法 製品画像

    【東北大学技術】均一な残膜が得られる光ナノインプリント方法

    nm~μmサイズが混在しパターンの粗密がある構造体を精密に製造可能!

    とナノスケールの有型光造形から構成。 1~300 Pa ・sの高粘度な光硬化性樹脂を、レーザー加工で作製した 貫通孔を持つポリイミドシートを孔版に用いて孔版印刷により 光硬化性樹脂の液滴を基板上に配置することができます。 線幅45nmのレジストパターンとシリコンパターンの作製に成功しています。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

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    東北大学技術:太陽電池:T12-157

    環境に優しい窒化物半導体から構成される高効率太陽電池

    窒化物半導体InGaAlNは太陽光スペクトル全域をほぼカバーでき、かつ、その構成元素も環境に優しい。窒化物半導体には従来からある半導体とは異なり格子整合する基板が存在しないため、結晶中に多くの欠陥を有する。太陽電池においては、フォトキャリを効率良く引き出す必要がある。この方策として、結晶中に自然発生している分極電界を利用する素子構造を提案している。本構造の...

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  • 東北大学技術:頑強なフレキシブル液晶ディスプレイ:T23-063 製品画像

    東北大学技術:頑強なフレキシブル液晶ディスプレイ:T23-063

    外部からの圧力に強い液晶表示装置

    ・従来の液晶ディスプレイは、外部から大きい圧力が加わったり、曲げ変形が強いられた場合、液晶層の厚みが変動して表示が乱れたり、基板スペーサーが破損するといった課題がある。 ・このような課題から、液晶をフレキシブルディスプレイに応用するのが難しかった。 ・そこで、本発明は液晶材料を複数の堅牢なマイクロチューブに詰め、それらを複数...

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  • 東北大学技術:電極を印刷したゼリー:T12-168 製品画像

    東北大学技術:電極を印刷したゼリー:T12-168

    細胞や組織に張り付いて一緒に動きながら電気刺激を付与できる柔らかくて安…

    導電性高分子は、柔軟な電子材料として応用性が高く、高容量電池、スーパーキャパシタ、フレキシブル回路、有機半導体素子などへの実用化が一部実現している。しかし、これらは導電性高分子を剛直な基板へパターニングしたものが多い。 そこで本発明は、ウェットで柔軟なゲルに導電性高分子や金属をパターニングした電極を提供する。...

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  • 東北大学技術:サブマイクロ線幅の配線作製方法:T11-050 製品画像

    東北大学技術:サブマイクロ線幅の配線作製方法:T11-050

    型の線幅よりも微細な金属配線パターンの作製が可能!

    め、コストが増大してしまうという問題がある。本発明は、レーザー描画等で簡便に得られるマイクロ線幅を備えたモールドを使用して、安価な水系ウェットエッチングにより、より微細なサブミクロン線幅の金属配線を基板上に作製する方法に関するものである。線幅2 μmのモールドを使用して、水系のサイドエッチングで赤外・可視の光の波長サイズのサブミクロン線幅の金属配線が作製できるため、モールドコストの低減が見込め、同...

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  • 東北大学技術:層状ナノシート:T20-3099 製品画像

    東北大学技術:層状ナノシート:T20-3099

    従来技術に比して、低コストで高品質な層状MoS2、層状グラファイトが作…

    性を持つ次世代ナノデバイスへの出口としてMoS2が注目されている。現在の作成方法は、イオンを挿⼊し層間 距離を広げ剥離する⼿法であるインターカレーションを用いる方法や、薄膜成分を含む原料ガスを供給し基板表⾯に膜を堆積する⼿法である化学気相蒸着(CVD)法が存在するが、前者は低品質であり、後者は高価で生産性が低いといった課題があった。本発明は、上記課題を解決する低コストで、層間の残留物が少なく、配向...

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  • 東北大学技術:セラミックス積層体およびその製造方法T21-249 製品画像

    東北大学技術:セラミックス積層体およびその製造方法T21-249

    金属・金属化合物の被覆の剥離や割れを抑え防食性を確実に発揮

    覆が必要となる。対策として金属被覆が行われているが、このような環境では、熱膨張係数差やスウェリング差によって基材との剥離や割れが発生し、防食機能を充分に発揮できないという課題があった。  本発明は、基板上に炭化ケイ素層と中間層と被覆層とを積層していることを特徴とする。その結果、基材との熱膨張係数差やスウェリング差を緩和し、防食機能を向上させたフルセラミックスで構成される炭化ケイ素材や炭化ケイ素繊維...

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