［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法

ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能

SSRMは、バイアスが印加された試料の表面を導電性探針で走査し、抵抗値の分布を二次元的に計測することで探針直下の広がり抵抗を可視化する手法です。 シリコン半導体素子を計測した場合、空間分解能に依存しますが、キャリア濃度1016個/cm3以上に感...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［GDMS］グロー放電質量分析法

特定の質量イオンを解離・フラグメント化させ、質量分析計で検出

素と目的元素のイオン強度と、RSFから算出した値であり、半定量値です。 ・微量元素（ppbレベル）から主成分レベルまでのバルク分析が可能 ・μmオーダーの深さ方向分析、薄膜分析が可能 ・導電性材料、及び補助電極を用いることで半導体材料、絶縁物材料も分析が可能 ・質量分解能が高く、妨害イオンの除去が可能 ・水素と希ガスを除く、Ｌｉ以下のほとんどの元素について測定が可能 ・同位体比測...

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［SCM］［SNDM］

キャリア分布を二次元的に可視化

SCM/SNDMは、導電性の探針を用いて半導体表面を走査し、キャリア分布を二次元的に可視化する手 法です。 ・SCM：1015～1020cm-3, SNDM：1014～1020cm-3程度のキャリア濃度に感度がある...

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走査型マイクロ波顕微鏡法_SMM

Scanning Microwave Microscopy

SMM は、導電性プローブを用いて計測試料を走査し、その凹凸形状を観察します。同時に、マイクロ波を探針から試料に照射して、その反射応答を計測することで、特に半導体の場合にはキャリア濃度に相関した信号を得ることができ...

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【分析事例】LIB(リチウムイオン)正極材料の抵抗分布評価

正極材料の導電性をSSRMを用いてマッピング

リチウムイオン二次電池の正極について、その形状と導電性をマッピングすることで、周囲と絶縁された結晶粒や劣化によって導電性が低下した活物質の分布を可視化することが可能です。 本事例では、リチウムイオン二次電池の正極を機械研磨によって断面を作製してSS...

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