インターフェックス出展『ラベル検査装置』『バイアルびん検査装置』

PR検査能力は従来製品のままスリムになったラベル検査装置や、AI機能を搭載…

2024年6月26日（水）から始まる「インターフェックスジャパン」にて ドリンク製品などの高速ラインに対応する検査装置の中からラベル検査装置のデモ機を出展いたします。 併せて「凍結乾燥製剤（バイアルびん）検査」の試作機を展示いたします。 目視検査から自動検査への可能性をご覧ください。 【出展製品】 『新型 ラベル検査装置』 検査能力・機能は従来製品のまま、床スペースを約1/4まで小...

メーカー・取り扱い企業： 高嶋技研株式会社

MOE抗体設計アプリケーション

PRコンピューターで抗体モデリング・抗体設計を行うための有用なアプリケーシ…

近年、抗体医薬品開発を効率化するためにインシリコによる合理的な設計が益々重要となっています。 統合計算化学システム MOEは、低分子、ペプチド、抗体、核酸などの広範なスケールの分子の設計に活用でき、創薬モダリティー開発に対応した分子モデリングソフトウェアです。ホモロジーモデリング、タンパク質デザイン、バーチャルファージディスプレイ、エピトープマッピング、分子表面解析、物性推算、化学的修飾候補部位...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社モルシス

【分析事例】TDSによる温度保持中の脱ガス評価

温度保持中の脱ガス強度の変化を調査できます

TDSは高真空中で試料を昇温、または温度を一定に保持した状態で、脱離するガスをリアルタイムに検出する手法です。 Si基板上SiN膜について350℃で温度を保持し、H2の脱離量を調査した例を示します。 単純昇温では500℃付近に脱ガスピークが確認されましたが、350℃で温度保持中はH2の検出...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】角度分解XPS（ARXPS）による極薄膜組成分布評価

基板上の極薄膜についてデプスプロファイルを評価可能です

角度分解XPS（ARXPS）はX線照射によって放出される光電子を取出角ごとに検出し、それぞれ検出深さの異なるスペクトルを用いてサンプル表面極近傍のデプスプロファイルを評価する手法です。従来のArイオンスパッタを用いた方法と比較すると、深さ方向分解能が向上し、かつ選択スパッタやミ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価

高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能

性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが 知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されること を利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】走査イオン顕微鏡によるCu表面の結晶粒観察

金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です

走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope：SIM）は固体試料にイオンビームを照射し、発生する二次電子を検出する手法です。二次電子は各結晶粒の結晶方位に応じたコントラストを生じるため、SIMによってCuやAlなどの金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を簡便に得ることが可能です。本資料では測定例とし...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価

高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能

活性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されることを利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST