カット野菜用異物除去装置『UDW-Fseries』

PR肉眼では見つけづらい同色の異物もピンポイントで検出・除去。機器選定のフ…

『UDW-Fseries』は、カット野菜を特殊赤外線カメラにより上下両面から検査し、 検出した異物をイジェクターでピンポイントに除去する装置です。 肉眼では見つけづらい同色の異物が混入している場合にも、高精度に検出・除去可能。 変色した葉の検出もできる、色彩検出機能が付いたタイプもラインアップしています。 ★他にも、様々な検出方式に対応した食品用異物除去装置を提供しています。 　...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社服部製作所

『金属検知対応　結束バンド選択ガイド』

PR抗菌・防カビタイプと、ポリプロピレン製の結束バンドの違いが一目でわかる…

『金属検知対応　結束バンド選択ガイド』は、 金属検知に対応した結束バンドの選定に役立つ資料です。 「抗菌・防カビタイプ」「ポリプロピレン製」の結束バンドにおける 湿度、温度、X線での検出し易さ、耐衝撃性などの違いが一目でわかります。 【掲載製品の特長】 ＜抗菌・防カビタイプ　結束バンド＞ 　■食品衛生法に適合 　■材質：金属入りナイロン6.6 　■使用温度範囲：-40～85...

メーカー・取り扱い企業： パンドウイットコーポレーション日本支社

【分析事例】TDSによる温度保持中の脱ガス評価

温度保持中の脱ガス強度の変化を調査できます

TDSは高真空中で試料を昇温、または温度を一定に保持した状態で、脱離するガスをリアルタイムに検出する手法です。 Si基板上SiN膜について350℃で温度を保持し、H2の脱離量を調査した例を示します。 単純昇温では500℃付近に脱ガスピークが確認されましたが、350℃で温度保持中はH2の検出...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】角度分解XPS（ARXPS）による極薄膜組成分布評価

基板上の極薄膜についてデプスプロファイルを評価可能です

角度分解XPS（ARXPS）はX線照射によって放出される光電子を取出角ごとに検出し、それぞれ検出深さの異なるスペクトルを用いてサンプル表面極近傍のデプスプロファイルを評価する手法です。従来のArイオンスパッタを用いた方法と比較すると、深さ方向分解能が向上し、かつ選択スパッタやミ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価

高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能

性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが 知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されること を利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】走査イオン顕微鏡によるCu表面の結晶粒観察

金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です

走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope：SIM）は固体試料にイオンビームを照射し、発生する二次電子を検出する手法です。二次電子は各結晶粒の結晶方位に応じたコントラストを生じるため、SIMによってCuやAlなどの金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を簡便に得ることが可能です。本資料では測定例とし...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価

高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能

活性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されることを利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST