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    タンパク質汚れ可視化ライト【ワープサーチ】WARP Search

    PR菌の増殖源がひと目でわかる医療照明のプロ発明!タンパク質汚れ可視化ライ…

    医療現場のニーズに応えて、医療照明のプロが発明しました。 WARP Searchは、雑菌の増殖源になるタンパク質汚れを特殊な光で可視化します。 普段目に見えないタンパク質汚れが一目でわかるので汚れを見逃さず、洗浄後はキレイが一目瞭然です。 タンパク質汚れには、弊社製品のソウジスキー(アルカリ性)での洗浄が効果的です。 好適な衛生環境を作り上げるために是非ともお役立て下さい。 【デモ機の貸...

    メーカー・取り扱い企業: 合同会社アドミライ

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    【分析事例】シリコン単結晶中の格子間原子濃度の定量

    赤外吸収法により非破壊で格子間酸素・炭素濃度を定量

    シリコン単結晶中の格子間酸素及び炭素原子濃度をFT-IR分析により非破壊で求めることが可能です。透過法により測定したスペクトルの格子間酸素または炭素による吸収のピーク高さから算出します。 算出方法は、電子情報技術産業協会(JEITA: Ja...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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    [SRA]広がり抵抗測定法

    SRA:Spreading Resistance Analysis

    触させ、広がり抵抗を測定する手法です。 SRP(Spreading Resistance Profiling)とも呼ばれます。 ・ 導電型(p型/n型)の判定が可能 ・ 深さ方向のキャリア濃度分布の評価が可能 ・ 濃度約1E12~2E20 /cm3の広範囲のキャリア濃度の分析が可能 ・ 約20μm×100μm以上の大きさのパターン試料の測定が可能 ・ SRAとSIMSを組み合わせて...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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    走査型マイクロ波顕微鏡法_SMM

    Scanning Microwave Microscopy

    SMM は、導電性プローブを用いて計測試料を走査し、その凹凸形状を観察します。同時に、マイクロ波を探針から試料に照射して、その反射応答を計測することで、特に半導体の場合にはキャリア濃度に相関した信号を得ることができる手法です。SMM 信号の強度はキャリア濃度に線形に相関するため、定量性が高いことが特徴です。 ・Si デバイスの場合、1015~1020cm-3程度のキャリア濃...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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    [SCM][SNDM]

    キャリア分布を二次元的に可視化

    SNDMは、導電性の探針を用いて半導体表面を走査し、キャリア分布を二次元的に可視化する手 法です。 ・SCM:1015~1020cm-3, SNDM:1014~1020cm-3程度のキャリア濃度に感度がある ・半導体の極性(p型/n型)の識別が可能 ・キャリア濃度に相関した信号が得られるが、定量評価は不可 ・AFM像の取得も可能...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • [SSDP用加工]基板側からの測定用加工 製品画像

    [SSDP用加工]基板側からの測定用加工

    基板側からの測定ができるように基板を削って薄片化

    試料表面側にドーパントが高濃度に存在している試料について、試料の表面からと裏面から評価した場合を比較すると、表面からの分析では、高濃度層の影響を受け、深い方向へ広がった分布が得られます。このような場合、基板側から分析することで、...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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    [SSRM]走査型広がり抵抗顕微鏡法

    ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能

    スが印加された試料の表面を導電性探針で走査し、抵抗値の分布を二次元的に計測することで探針直下の広がり抵抗を可視化する手法です。 シリコン半導体素子を計測した場合、空間分解能に依存しますが、キャリア濃度1016個/cm3以上に感度があります。 ・ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能 ・半導体のドーパント濃度分布計測に有効 ・半導体の極性(p型/n型)の判定は不可 ・定量評価は不可...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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    [GDMS]グロー放電質量分析法

    特定の質量イオンを解離・フラグメント化させ、質量分析計で検出

    GDMSは固体試料の組成について、主成分から微量成分まで同時に分析し、試料内に存在する不純物の半定量分析を行う手法です。濃度換算には装置付随の相対感度係数(RSF)を使用します。分析値は主成分元素と目的元素のイオン強度と、RSFから算出した値であり、半定量値です。 ・微量元素(ppbレベル)から主成分レベルまでのバ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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    【分析事例】SiGe中不純物の高精度定量評価

    SIMS:二次イオン質量分析法

    SIMSによる半導体素材SiGeの不純物の定量・組成評価では、分析時に下記を考慮する必要があります。 ●Ge濃度に応じた適切な定量補正を行わないと不純物定量値は本来の値に比べて50%以上異なることがある。定量評価を行うためには各組成に応じた標準試料が必要。 ●SiとSiGeではスパッタリングレートが異なる事...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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    [ICP-MS]誘導結合プラズマ質量分析法

    導結合プラズマ(ICP)を励起源として用いた無機元素分析の手法です

    然に存在する元素は、一定の同位体組成を持っているため、各m/zに現れるイオン強度をスキャンすることで含有元素の定性分析を行うことができます。また、イオン強度が含有元素量と比例関係にあることを利用し、濃度既知の標準溶液と試料のイオン強度を比較することで、定量分析を行うことができます。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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    [XAFS]X線吸収微細構造

    XAFSは、物質にX線を照射することで得られる吸収スペクトルを解析する…

    間距離、配位数)や化学状態(価数、配位構造)の評価が可能 ・環境(高温・高圧・雰囲気)を問わず、測定が可能 ・様々な試料形態(固体・液体・気体、薄膜、非晶質物質など)の測定が可能 ・適用可能な濃度範囲が広い(主成分元素から微量元素まで) ・非破壊測定 ・測定方法によっては、バルクだけでなく、表面敏感な測定も可能 ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • PV(太陽電池)各種評価事例集 製品画像

    PV(太陽電池)各種評価事例集

    太陽電池(PV)の組成評価や同定・膜圧評価・形状評価・結晶構造評価など…

    、セル・モジュールが一堂に出展する展示会『PV EXPO 2013』で使用したパネル資料全6枚のご紹介です。 [掲載内容] 有機薄膜太陽電池の活性層の組成分布評価や、電極直下のドーパントの濃度 分布を定量的に評価した事例、成膜したCIGS薄膜の組成について、ICP-MSで 高精度に定量した事例、CIGSとCdSがヘテロエピタキシャル接合している様子 などを、分析図・構造図・模式図な...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • [SIMS]二次イオン質量分析法 製品画像

    [SIMS]二次イオン質量分析法

    二次イオンを検出し、各質量における検出量を測定することで、試料中に含ま…

    らの粒子のうちイオンを検出し、各質量における検出量を測定することで、試料中に含まれる成分の定性・定量を行う手法です。 ・高感度(ppb~ppm) ・HからUまでの全元素の分析が可能 ・検出濃度範囲が広い(主成分元素から極微量不純物まで) ・標準試料を用いて定量分析が可能 ・深さ方向分析が可能 ・数~数十nmの深さ方向分解能での評価が可能 ・数μm角までの微小領域の測定が可能 ・...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】トランジスタ(MOSFET)の拡散層分布評価 製品画像

    【分析事例】トランジスタ(MOSFET)の拡散層分布評価

    SCMによる特定箇所の拡散層評価

    紹介します。まず、特定のトランジスタの断面を機械研磨で露出します。この時、Si面はnm オーダーまで平坦に研磨されています。SCM像では層の分布が二次元的に確認できます。定量的な議論はできませんが、濃度の大小関係を大まかに知ることもできます。また、拡散層のp/n極性も識別可能です。さらに、同一箇所のSEM観察を行い、SCM分析結果と画像合成を行うことで、拡散層と上部配線構造との位置関係を明確にでき...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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