• 分析訪問セミナー 製品画像

    分析訪問セミナー

    分析のセミナーを無償にて行います!

    お客様のニーズに合わせた技術者訪問の分析セミナーを承っております。 お客様のご要望に応じて、分析技術のご紹介や分析データのご説明をいたします。 訪問する技術者の人数・セミナー時間・内容は、ご希望に合わせてカスタマイズが可能です。 お気軽にご相談下さい。 ...●セミナー内容例  ・MSTの分析手法を広く解説  ・特定の分析手法を原理からじっくり、詳しく解説  ・お客様がご依頼の分析...

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  • 放射線測定サービス 製品画像

    放射線測定サービス

    工業製品・大気中・水・食品など、放射線の測定はおまかせください

    製品の出荷前検査や輸出品など、放射線量を測定し報告書を作成いたします。英文の報告書も作成可能です。 検体ごとに適切な測定機器をもちいて測定を行います! 【輸出コンテナや製品からの放射線量率を確認】 【食品の放射能を測定】 【田畑などからの土の放射能を測定する】 【海水・水道水などの放射能を測定する】 ★★出張測定サービス実施中★★ 御社に伺っての測定を行います。(※交通費・宿...

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  • 【分析事例】エルゴチオネインのLC/MS分析 製品画像

    【分析事例】エルゴチオネインのLC/MS分析

    天然物由来のアミノ酸類の収率や精製レベルを評価

    ヒラタケ科の食用きのこ類に多く含まれるアミノ酸同族体であるエルゴチオネインは、高い抗酸化能を持った天然物由来の物質として食品・医療・美容分野で注目されています。最近になって化学的合成技術も確立されましたが、引き続き天然食品資源からの高効率な分離精製技術の確立が必要とされており、収率を精度良く測定して精製レベルを評価することが求められています。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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  • 【分析事例】LDI-MSによるフッ素系ポリマーの構造解析 製品画像

    【分析事例】LDI-MSによるフッ素系ポリマーの構造解析

    フッ素系グリース、フッ素系潤滑剤、フッ素系オイル等の構造解析

    フッ素系の高分子材料は化学的安定かつ様々な特性をもち、産業機械や半導体、エレクトロニクス分野で幅広く使用されています。LDI-MS(レーザー脱離イオン化質量分析法)は分子量数千程度のフッ素系ポリマーを分子のままイオン化できる分析手法であり、フッ素系ポリマーの繰り返し単位と分子量を把握し、末端基組成や構造を推定することが可能です。本資料では、潤滑剤や熱媒体などの基油として使用されるパーフルオロポリエ...

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  • 【分析事例】有機EL素子の成分分析 製品画像

    【分析事例】有機EL素子の成分分析

    Slope面出し加工された有機多層構造試料のTOF-SIMS成分分析

    XPSで4層の異なる有機化合物(或いは有機金属錯体)で形成されていると推定された有機EL素子(図1)について、TOF-SIMS分析を行いました。多層構造試料についてはスパッタを併用した深さ方向分析も行われますが、今回は構成成分の結合を壊さずに測定するために、Slope面を作製して各層を露出させました。Alq3, NPD, CuPcと推定される分子量関連イオン・フラグメントイオンが得られ、Slope...

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  • 【分析事例】バイポーラトランジスタ(IGBT)の不良品調査 製品画像

    【分析事例】バイポーラトランジスタ(IGBT)の不良品調査

    高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定

    発光像とIR像の重ね合わせにより、リーク箇所を顕微的視野で特定できます。クラックや静電破壊など大規模な外観異常がある場合は、IR顕微鏡でも異常を確認可能です。また、エミッタ電極の遮光により、発光が検出できない場合には、コレクタ電極を除去し、コレクタ側から近赤外光を検出します。 2000Vまで印加可能な高電圧電源を用い、高耐圧で低リーク電流のパワーデバイスを動作させ、エミッション顕微鏡で故障箇所を...

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  • 【分析事例】バンプの広域断面観察 製品画像

    【分析事例】バンプの広域断面観察

    イオンポリッシュによる断面作製で微小特定箇所の広域観察が可能です

    イオンポリッシュ(IP)法では、機械研磨法で問題となっていた加工ダメージ(界面の剥離・硬さの違いによる段差・研磨による傷など)が少ない断面の作製が可能です。加工位置精度も向上し、微小部位を含む広域断面作製も可能です。結晶の損傷が少ないため、綺麗な結晶パターンが得られます。また、機械的応力の影響がないため、内部構造を忠実に保存したまま、AES分析・SEM観察・EDX分析などにより、詳細に特定部位の断...

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  • 【分析事例】コアシェル構造の3次元形状評価 製品画像

    【分析事例】コアシェル構造の3次元形状評価

    高分解能EELSトモグラフィー

    トモグラフィーは、試料を連続的に傾斜させて撮影した多数の投影像をコンピュータで画像処理し、3次元的内部構造を再構成する手法です。粒子など表面積・体積の算出も可能です。 Csコレクタ付きSTEMで0~180度のEELSマップ連続傾斜像を取得することにより、鮮明な3次元(3D)元素分布を構築することが可能となります。HAADF像の苦手とする平均原子番号の近い複合材料や回折コントラストの強い結晶質など...

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  • 【分析事例】有機EL素子中不純物の深さ方向分析 製品画像

    【分析事例】有機EL素子中不純物の深さ方向分析

    有機EL素子を深さ方向分解能よく評価

    有機EL素子の長寿命化には、エレクトロマイグレーションによる劣化の評価が必要なため、電極金属成分の有機層への拡散の状態を調べることが重要です。しかしながら、陰極側から直接分析しても、陽極側からSSDP法*により分析しても、深さ方向分解能が低下し、界面から有機層への拡散を評価することは困難でした。(*SSDP法:裏面側からの分析。分析手法詳細編B0013参照。) そこで、特殊加工によって、陰極/有...

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  • 【分析事例】毛根の成分分析 製品画像

    【分析事例】毛根の成分分析

    TOF-SIMSを用いた生体成分のコレステロール・脂肪酸の可視化

    人の毛髪(抜け毛と引き抜いたもの)の毛根部をSiウェハに押し付け、転写された成分についてイメージング測定(面分析)を行いました。抜け毛は毛根の先端にのみ、■K, ●リン脂質が強い傾向が見られます。また、毛根部全体には、■CnHmCOOH(n=17~31)の脂肪酸(人の皮脂由来)、●角栓由来のアミド系成分、◆質量が500~700の含窒素有機酸、◆質量が800付近の有機物が凝集していると考えられますが...

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  • 【分析事例】HAADF-STEM像とは 製品画像

    【分析事例】HAADF-STEM像とは

    HAADF-STEM:高角散乱環状暗視野走査透過顕微鏡法

    ■原理 HAADF-STEM( High-angle Annular Dark Field Scanning TEM)像は細く絞った電子線を試料に走査させながら当て、透過電子のうち高角に散乱したものを環状の検出器で検出することにより得られます。 ■特徴 Z2ρが大きな材料の方がより高角に散乱される ↓ 重い元素はSTEM像では暗く、HAADF-STEM像では明るい 原子量(Z)...

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    【分析事例】FIB低加速加工

    FIB:集束イオンビーム加工

    FIBを用いたTEM観察用薄膜試料作製法では、高エネルギーのGaイオン(加速電圧30kV)を用いており、加工面にダメージ層が生じ、TEMの像質低下の原因となっています。そこで従来より低加速(2kV)の加工を行うことでダメージ層が低減でき、像質が改善されました。 FIB低加速加工によりFIB加工面のダメージを低減することで、TEM像観察、EELS測定において高品質で信頼性の高いデータが得られます。...

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  • 【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察 製品画像

    【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察

    前処理から発光箇所特定まで一貫解析

    高電圧電源(2000Vまで印加可能)を用いることで、耐圧の高いダイオードに対してもブレークダウンを発生させることができます。 本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、逆方向に高電圧まで印加することで、ブレークダウンを発生させました。カソード電極を研磨で除去後、エミッション顕微鏡観察を行い、ブレークダウン電流発生箇所を特定した事例をご紹介します。測定には市販品を用い...

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  • 【分析事例】毛髪中ヘアケア剤成分の分布評価 1 製品画像

    【分析事例】毛髪中ヘアケア剤成分の分布評価 1

    各成分の毛髪への浸透状態を可視化

    日常生活でヘアケア剤を用いていない毛髪であるヒゲを、コンディショナーもしくはトリートメントに浸し、各浸漬条件における成分の浸透状態について調査しました。 コンディショナーに浸漬したヒゲでは、シロキサンが浸漬時間と共に毛皮質まで浸透する一方、高級脂肪酸は抜けている様子が見られました。トリートメントに浸漬したヒゲでは、含窒素有機物は毛皮質には浸透せず毛小皮(キューテクル)周辺にのみ分布している様子が...

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  • 【分析事例】TFT配線交差部の深さ方向分析 製品画像

    【分析事例】TFT配線交差部の深さ方向分析

    微小領域・ガラス基板についてもSSDPによる分析が可能

    二次イオン質量分析法(SIMS)を用いて、市販TFT液晶ディスプレイのデータ信号配線とゲート電極配線の交差部(4μm×10μm)を、基板側から分析(SSDP-SIMS)した例を示します。 基板側から測定(SSDP-SIMS)を行うことにより、表面側の高濃度層や金属膜などの影響がないデータの提供が可能となります。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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