• 【分析事例】燃料電池等の窒素ドープカーボン材料窒素の置換位置評価 製品画像

    【分析事例】燃料電池等の窒素ドープカーボン材料窒素の置換位置評価

    ケミカルシフトを利用して窒素の置換位置の同定や定量的な分離が可能です

    燃料電池の電極触媒であるPtに替わる材料として、窒素(N)原子を導入したカーボン材料が注目を集めており、その触媒活性にはカーボン材料中に存在するNの置換位置が大きく関わっています。XPS分析では、Nの結合状態や置換位置の違いによりケミカルシフトが生じるN1sスペクトルの評価を行うことで、Nがどの位置のCと置換されたのかの同定や定量的な分離が可能です。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 第一原理計算によるワイドギャップ半導体GaNにおける欠陥準位解析 製品画像

    第一原理計算によるワイドギャップ半導体GaNにおける欠陥準位解析

    点欠陥の形成エネルギー、電荷、光学遷移など様々な物性情報が得られます

    ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は主にパワーデバイスの分野で用いられ、近年では急速充電器や5G通信基地局用途としての需要が高まっています。高信頼性を有するGaNの開発にあたっては、結晶中の欠陥量の低減や欠陥がもたらす電気/光学特性などへの影響の理解が重要です。本資料では第一原理計算を用いてGaN中の窒素欠損(VN)が形成する欠陥準位の解析を行った事例を紹介します。本解析は欠損だけで...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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