ソーラーシミュレーター『G2009B1』

PRLED光により必要な範囲の波長の光を、キセノンランプより長寿命でかつ安…

『G2009B1』は、小面積セルの太陽電池特性評価に好適な ソーラーシミュレーターです。 AM1.5Gの太陽光スペクトルを高精度に再現し、自然光に限りなく近い 精度を実現しています。 太陽電池の効率測定や光起電力デバイスの研究に活用できます。 【特長】 ■直径15mmのエリアでクラスAAAのスペクトル性能、直径25mmのエリアで 　クラスABAのスペクトル性能(IEC規格...

メーカー・取り扱い企業： 重松貿易株式会社 大阪本社

精度の高い熱風調整が可能な熱風発生器

PR要望に合わせた技術仕様でカスタム設計！より精度の高い熱風調整やコントロ…

『熱風発生器』は、当社の基幹技術です。 今まで培ったノウハウと実績をもとに、お客様のご要望に合わせた技術仕様で カスタム設計を行い、より精度の高い熱風調整やコントロールが可能です。 【熱風発生器ラインナップ】 ＜直下式熱風発生器（バーナー）＞ ■エネルギー効率が高い ■800℃程度の高温まで対応 ■熱風にバーナーの燃焼排ガスを含むので、加熱物の用途が限定される ＜間接式熱風...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社河村バーナー製作所

【分析事例】SiC基板のゲート酸化膜評価

膜厚・密度・結合状態を評価

SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスの特性を向上させるために必要なゲート酸化膜の膜厚、密度をXRR（X線反射率法） および結合状態をXPS（X線光電子分光...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】有限要素法による強誘電体キャパシタ金属の応力評価

昇温・降温時の異種材料間にかかる応力分布を定量化できます

HfxZr1-xO2(HZO)を用いたFeFET(強誘電体トランジスタ)は高速動作、低消費電力により次世代トランジスタの候補として期待されていますが、分極が小さいという欠点があります。FeFET特性改善のために、HZOの強誘電性を高めることが有効であり、HZO層へ応力を加え、強誘電性を示す結...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板の品質評価

結晶方位・面内欠陥分布・表面凹凸・不純物を評価

SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスを製造する上で必要になるSiC基板の品質評価が課題になっています。SiC基板を結晶方位、面内欠陥分布、表面凹凸および不...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST