一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析
- 最終更新日：2024-04-04 10:33:56.0
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パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM（走査型顕微鏡法）で評価した事例をご紹介します。
測定法：EMS,SCM,SEM
製品分野：パワーデバイス
分析目的：故障解析・不良解析
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基本情報分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析
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| 用途／実績例 | パワーデバイスの分析です。 |
カタログ分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析
取扱企業分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析
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