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固体エネルギーバンド構造の詳細を計算するための事例について掲載!
当資料では、III-V族化合物半導体で電子・光学デバイスのバンド構造 エンジニアリングに必要となる、固体エネルギーバンド構造の詳細を 計算するため、Hartree-Fock-DFTハイブリッド汎関数であるHSE06を用いた 事例について報告します。 InAsのエネルギーバンド、特にその微細構造を例として、精度の高い 第一原理電子状態計算を用いることで、実験に匹敵する精度と信頼性を持つ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社モルシス
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