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分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析
デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供
や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM(走査型顕微鏡法)で評価した事例をご紹介します。 測定法:EMS,SCM,SEM 製品分野:パワーデバイス 分析目的:故障解析・不良解析 詳しくは資料をダウンロード...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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