一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
最終更新日:2023-03-28 13:52:57.0
【分析事例】GCIBを用いたSiO2中アルカリ金属の深さ方向濃度分布評価_C0234
基本情報【分析事例】GCIBを用いたSiO2中アルカリ金属の深さ方向濃度分布評価_C0234
SiO2膜の不純物の評価
アルカリ金属であるLi,Na,Kは半導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。
今回、スパッタイオン源にGCIB(Arクラスター)を用いたTOF-SIMSの深さ方向分析を行うことにより、常温下の測定でもアルカリ金属の移動を酸素スパッタガンに比べ抑えられることがわかりました。この測定を行うことで、SiO2膜中の不純物について定性・定量分析を行うことが可能です。
【事例】GCIBを用いたSiO2中アルカリ金属の深さ方向濃度分布
アルカリ金属であるLi,Na,Kは半導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。
今回、スパッタイオン源にGCIB(Arクラスター)を用いたTOF-SIMSの深さ方向分析を行うことにより、常温下の測定でもアルカリ金属の移動を酸素スパッタガンに比べ抑えられることがわかりました。この測定を行うことで、SiO2膜中の不純物について定性・定量分析を行うことが可能です。
測定法:TOF-SIMS
製品分野:LSI・メモリ・電子部品
分析目的:微量濃度評価
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取扱会社 【分析事例】GCIBを用いたSiO2中アルカリ金属の深さ方向濃度分布評価_C0234
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