一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 【事例】GCIBを用いたSiO2中アルカリ金属の深さ方向濃度分布
- 最終更新日：2023-03-28 13:47:00.0
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アルカリ金属であるLi,Na,Kは半導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。
今回、スパッタイオン源にGCIB(Arクラスター)を用いたTOF-SIMSの深さ方向分析を行うことにより、常温下の測定でもアルカリ金属の移動を酸素スパッタガンに比べ抑えられることがわかりました。この測定を行うことで、SiO2膜中の不純物について定性・定量分析を行うことが可能です。
測定法：TOF-SIMS
製品分野：LSI・メモリ・電子部品
分析目的：微量濃度評価
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基本情報【事例】GCIBを用いたSiO2中アルカリ金属の深さ方向濃度分布
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| 用途／実績例 | LSI、メモリ、電子部品の分析です。 |
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