一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
最終更新日:2016-03-09 14:45:22.0
【分析事例】SiC Schottky Barrier Diodeのフォトルミネッセンスマッピング測定
基本情報【分析事例】SiC Schottky Barrier Diodeのフォトルミネッセンスマッピング測定
SiC中積層欠陥の検出事例
分析の事例をご紹介します
【分析事例】SiCSchottkyBarrierDiodeの測定
SiCはパワーデバイス用途向けなどに近年盛んに研究・利用が進んでいます。SiCは種々のポリタイプを持つため、積層配置が乱雑になる積層欠陥などが容易に発生するという問題を持ちます。この欠陥の検出法の一つとして、試料を光で刺激した際に放出される光を分析するフォトルミネッセンス(PL)法があります。
マッピング測定を行い欠陥起因の発光を検出した事例を紹介します。 (詳細を見る)
取扱会社 【分析事例】SiC Schottky Barrier Diodeのフォトルミネッセンスマッピング測定
受託分析サービスで、研究開発を行う皆様をサポートします! 半導体・金属・電池などのエレクトロニクス材料や、医薬品・化粧品・食品・環境などのライフサイエンス分野に幅広く対応。 SIMS・TEM・XRD・ICP-MS・GC/MS・AES・SEM・EPMA・EELSなど、さまざまな分析装置を保有し、分析ニーズに応えます。 まずはご相談下さい。 ◆事業領域◆ 1. 科学技術分野における材料に関する基礎的研究及び解析・評価。 2. 半導体、生理学生化学、バイオ関連分野及び各種先端的分野についての基礎的研究及び解析・評価。 3. 1、2号に掲げる国内外における関連分野の研究機関又は個人に対する表彰及び支援。 4. 1、2号に掲げる研究成果等の出版または出版の支援。 5. 1、2号に掲げる国内外における関連分野の調査。 6. 1、2号に掲げる国内外における関連分野に関する研修の実施及び支援または研修所の運営。 7. その他目的を達成するために必要な事業。
【分析事例】SiC Schottky Barrier Diodeのフォトルミネッセンスマッピング測定へのお問い合わせ
お問い合わせ内容をご記入ください。