【分析事例】SiCSchottkyBarrierDiodeの測定一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiC中積層欠陥の検出事例

SiCはパワーデバイス用途向けなどに近年盛んに研究・利用が進んでいます。SiCは種々のポリタイプを持つため、積層配置が乱雑になる積層欠陥などが容易に発生するという問題を持ちます。この欠陥の検出法の一つとして、試料を光で刺激した際に放出される光を分析するフォトルミネッセンス（PL）法があります。
マッピング測定を行い欠陥起因の発光を検出した事例を紹介します。

基本情報【分析事例】SiCSchottkyBarrierDiodeの測定

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用途／実績例	パワーデバイスの分析です

カタログ【分析事例】SiCSchottkyBarrierDiodeの測定

【分析事例】SiC Schottky Barrier Diodeのフォトルミネッセンスマッピング測定

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取扱企業【分析事例】SiCSchottkyBarrierDiodeの測定

一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

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