一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
最終更新日:2016-03-10 11:49:11.0
【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析2
基本情報【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析2
目的に応じた分析条件で測定します
分析の事例をご紹介します
【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析2
市販品SiCパワーMOS FETのドーパント元素であるN,Al,Pの深さ方向濃度分布を複数の分析モードで評価した事例を紹介します。
分析目的によってはそれぞれの元素を最適な条件で別々に測定せず、複数の元素を同時に測定することが可能です。多元素同時測定した場合と、それぞれの元素に着目した条件で測定した場合の事例を示します。 (詳細を見る)
【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1
SiCはその物性からパワーデバイス材料として用いられていますが、Siとは異なりイオン注入後の熱処理によるドーパントの拡散が困難なため、多段イオン注入により深さ方向への分布を制御する必要があります。SIMS分析は高感度(ppm以下)で深さ方向の不純物濃度を評価することができるため、SiC中のドーパント元素の分布評価に適しています。また、軽元素(H,C,O,Fなど)の分布についても評価可能です。評価したい元素などお問い合わせください。 (詳細を見る)
取扱会社 【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析2
受託分析サービスで、研究開発を行う皆様をサポートします! 半導体・金属・電池などのエレクトロニクス材料や、医薬品・化粧品・食品・環境などのライフサイエンス分野に幅広く対応。 SIMS・TEM・XRD・ICP-MS・GC/MS・AES・SEM・EPMA・EELSなど、さまざまな分析装置を保有し、分析ニーズに応えます。 まずはご相談下さい。 ◆事業領域◆ 1. 科学技術分野における材料に関する基礎的研究及び解析・評価。 2. 半導体、生理学生化学、バイオ関連分野及び各種先端的分野についての基礎的研究及び解析・評価。 3. 1、2号に掲げる国内外における関連分野の研究機関又は個人に対する表彰及び支援。 4. 1、2号に掲げる研究成果等の出版または出版の支援。 5. 1、2号に掲げる国内外における関連分野の調査。 6. 1、2号に掲げる国内外における関連分野に関する研修の実施及び支援または研修所の運営。 7. その他目的を達成するために必要な事業。
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