一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
最終更新日:2023-04-10 14:22:57.0
【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価_C0409
基本情報【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価_C0409
Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です
パワーデバイス・光デバイスとして実用化されているGaNは六方晶ウルツ鉱構造をとり、c軸方向に結晶学的な非対称性(Ga極性とN極性)が存在します。Ga極性とN極性ではエピタキシャル膜の成長プロセスが異なるほか、結晶の表面物性・化学反応性も異なります。
本資料では、GaNの極性を環状明視野(ABF)-STEM観察により評価しました。その結果、Gaサイト・Nサイトの位置を特定することができ、視覚的にGa極性、N極性の様子を明らかにすることができました。
【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価
パワーデバイス・光デバイスとして実用化されているGaNは六方晶ウルツ鉱構造をとり、c軸方向に結晶学的な非対称性(Ga極性とN極性)が存在します。Ga極性とN極性ではエピタキシャル膜の成長プロセスが異なるほか、結晶の表面物性・化学反応性も異なります。
本資料では、GaNの極性を環状明視野(ABF)-STEM観察により評価しました。その結果、Gaサイト・Nサイトの位置を特定することができ、視覚的にGa極性、N極性の様子を明らかにすることができました。
測定法:TEM
製品分野:パワーデバイス・光デバイス
分析目的:形状評価・構造評価・膜厚評価
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取扱会社 【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価_C0409
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