一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価
- 最終更新日：2023-04-10 14:19:38.0
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パワーデバイス・光デバイスとして実用化されているGaNは六方晶ウルツ鉱構造をとり、c軸方向に結晶学的な非対称性（Ga極性とN極性）が存在します。Ga極性とN極性ではエピタキシャル膜の成長プロセスが異なるほか、結晶の表面物性・化学反応性も異なります。
本資料では、GaNの極性を環状明視野(ABF)-STEM観察により評価しました。その結果、Gaサイト・Nサイトの位置を特定することができ、視覚的にGa極性、N極性の様子を明らかにすることができました。
測定法：TEM
製品分野：パワーデバイス・光デバイス
分析目的：形状評価・構造評価・膜厚評価
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基本情報【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価
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| 価格情報 | - |
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| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | パワーデバイス・光デバイスの分析です |
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