一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
最終更新日:2016-07-29 13:36:15.0
【分析事例】イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温フォトルミネッセンススペクトル
基本情報【分析事例】イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温フォトルミネッセンススペクトル
照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です
分析の事例をご紹介します
【分析事例】イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温PL
Si系半導体デバイスの作製ではイオン注入やアニール処理といった様々な処理が行われます。これらの処理前後における照射欠陥の度合いや結晶性の回復度合いを確認することは、製造プロセスを制御するにあたり重要と考えられます。低温下におけるフォトルミネッセンス(PL)測定は、これらを調査する際に有効な手段の一つです。
Si基板にイオン注入を行った後、アニール処理を行った試料のPL測定例を示します。 (詳細を見る)
取扱会社 【分析事例】イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温フォトルミネッセンススペクトル
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