一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
最終更新日:2023-04-13 16:12:41.0
【分析事例】酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価_C0462
基本情報【分析事例】酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価_C0462
XAFSとXPSの複合解析によって高精度なバンドギャップ評価が可能
薄膜試料のバンドギャップはこれまでUV-Vis・PL・XPSなどの分析手法で測定されてきましたが、材料・膜厚・基板などの試料構造の制約から評価可能なケースが限られていました。
今回、XAFSとXPSの複合解析によって、試料構造の制約を少なく、かつ従来よりも高精度なバンドギャップ評価が可能となりました。本手法は特に各種酸化膜・窒化膜の評価に対して有効です。
本資料では窒化シリコン(SiN)膜のバンドギャップ評価事例をご紹介します。
【分析事例】酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価
薄膜試料のバンドギャップはこれまでUV-Vis・PL・XPSなどの分析手法で測定されてきましたが、材料・膜厚・基板などの試料構造の制約から評価可能なケースが限られていました。
今回、XAFSとXPSの複合解析によって、試料構造の制約を少なく、かつ従来よりも高精度なバンドギャップ評価が可能となりました。本手法は特に各種酸化膜・窒化膜の評価に対して有効です。
本資料では窒化シリコン(SiN)膜のバンドギャップ評価事例をご紹介します。
測定法:XAFS・XPS
製品分野:太陽電池・照明・酸化物半導体・パワーデバイス
分析目的:電子状態評価
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取扱会社 【分析事例】酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価_C0462
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