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最終更新日:2017-06-30 14:26:17.0

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【分析事例】XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価

基本情報【分析事例】XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価

照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

分析の事例をご紹介します

【分析事例】XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価

【分析事例】XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価 製品画像

窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。その製造工程では、結晶欠陥の無い高品質なGaN結晶の作製が求められるため、イオン注入などによるダメージやその回復度合いの確認は重要な評価項目となっています。
本資料ではXAFSによってGaN基板へのイオン注入によるダメージを評価した事例をご紹介します。
GaN表面近傍における結晶構造の乱れや、膜中のN2、格子間Nを高精度で検出することが可能です。 (詳細を見る

取扱会社 【分析事例】XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価

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受託分析サービスで、研究開発を行う皆様をサポートします! 半導体・金属・電池などのエレクトロニクス材料や、医薬品・化粧品・食品・環境などのライフサイエンス分野に幅広く対応。 SIMS・TEM・XRD・ICP-MS・GC/MS・AES・SEM・EPMA・EELSなど、さまざまな分析装置を保有し、分析ニーズに応えます。 まずはご相談下さい。 ◆事業領域◆ 1. 科学技術分野における材料に関する基礎的研究及び解析・評価。 2. 半導体、生理学生化学、バイオ関連分野及び各種先端的分野についての基礎的研究及び解析・評価。 3. 1、2号に掲げる国内外における関連分野の研究機関又は個人に対する表彰及び支援。 4. 1、2号に掲げる研究成果等の出版または出版の支援。 5. 1、2号に掲げる国内外における関連分野の調査。 6. 1、2号に掲げる国内外における関連分野に関する研修の実施及び支援または研修所の運営。 7. その他目的を達成するために必要な事業。

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