【分析事例】XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。その製造工程では、結晶欠陥の無い高品質なGaN結晶の作製が求められるため、イオン注入などによるダメージやその回復度合いの確認は重要な評価項目となっています。
本資料ではXAFSによってGaN基板へのイオン注入によるダメージを評価した事例をご紹介します。
GaN表面近傍における結晶構造の乱れや、膜中のN2、格子間Nを高精度で検出することが可能です。

基本情報【分析事例】XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価

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用途／実績例	照明・パワーデバイスの分析です

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【分析事例】XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価

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一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

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