【分析事例】低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価

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基本情報【分析事例】低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価

Si基板に含まれる微量な炭素の確認が可能です

分析の事例をご紹介します

【分析事例】Si基板に含まれる格子間型炭素の評価

Siにイオンや電子線等を照射すると、Siに僅かに含まれる「格子置換型炭素」の一部が「格子間型炭素」に変化します。この格子間型炭素がデバイスの電気特性に影響を与えているとされています。
格子間型炭素に関連する挙動は低温PL分析で非常に感度良く観測することが可能であり、SIMS分析の下限以下の微量な炭素についての知見を得ることが可能です。
本資料では、イオン注入を行ったSi基板について低温PL分析とSIMS分析を行い確認した例を示します。（詳細を見る）

【分析事例】水素終端ウエハの脱ガス分析

TDSは試料を昇温し、脱離したガスをイオン化して質量分析を行う手法です。高真空中（1E-7 Pa）で、質量電荷比(m/z) 2～199について分析可能です。
今回は水素終端処理を施したSiチップについて、TDS分析を実施した例をご紹介します。TDSにて、水素終端の水素の脱離を捉えることができました。（詳細を見る）

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一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

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