【分析事例】水素終端ウエハの脱ガス分析一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

最表面、単原子層の水素をTDSで評価可能です

TDSは試料を昇温し、脱離したガスをイオン化して質量分析を行う手法です。高真空中（1E-7 Pa）で、質量電荷比(m/z) 2～199について分析可能です。
今回は水素終端処理を施したSiチップについて、TDS分析を実施した例をご紹介します。TDSにて、水素終端の水素の脱離を捉えることができました。

基本情報【分析事例】水素終端ウエハの脱ガス分析

詳しいデータはカタログをご覧ください

価格情報	-
納期	お問い合わせください
用途／実績例	LSI・メモリの分析です

カタログ【分析事例】水素終端ウエハの脱ガス分析

取扱企業【分析事例】水素終端ウエハの脱ガス分析

一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

受託分析サービスで、研究開発を行う皆様をサポートします！半導体・金属・電池などのエレクトロニクス材料や、医薬品・化粧品・食品・環境などのライフサイエンス分野に幅広く対応。 SIMS・TEM・XRD・ICP-MS・GC/MS・AES・SEM・EPMA・EELSなど、さまざまな分析装置を保有し、分析ニーズに応えます。まずはご相談下さい。 ◆事業領域◆ 1. 科学技術分野における材料に関する基礎的研究及び解析・評価。 2. 半導体、生理学生化学、バイオ関連分野及び各種先端的分野についての基礎的研究及び解析・評価。 3. １、２号に掲げる国内外における関連分野の研究機関又は個人に対する表彰及び支援。 4. １、２号に掲げる研究成果等の出版または出版の支援。 5. １、２号に掲げる国内外における関連分野の調査。 6. １、２号に掲げる国内外における関連分野に関する研修の実施及び支援または研修所の運営。 7. その他目的を達成するために必要な事業。