株式会社エナテック東京本社
最終更新日：2020-04-17 16:51:26.0
中性子放射化分析サービス
基本情報中性子放射化分析サービス
照射炉協力のもと中性子を利用した、「中性子放射化分析サービス」をご提供します。
★掲載内容★
◯中性子放射化分析のメリット
◯分析可能元素
◯分析レポート
◯試料に関して
◯分析までの流れ
◎詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
医学・薬学分野に中性子放射化分析サービス
中性子放射化分析のメリット
１）少量の試料(数ｍｇ～数ｇ程度)で分析が可能。
２）分析可能な濃度の範囲が広いppmまたはppb(標準でppm)のレベルから数十パーセントの範囲まで分析可能。
３）高精度(不確かさ: 標準4～5%)
４）分析元素の物理的形状や化学的状態に左右されない 同一のマトリックス組成の標準化が不要。
分析可能元素
A) 分析に長時間の照射が必要な元素： Ag, As, Au, Ba, Br, Ca, Ce, Cd, Co, Cr, Cs, Er, Eu, Fe, Ga, Ge, Gd, Hf, Hg, Ho, Ir, K, La, Lu, Mo, Nb, Nd, Os, Pd, Pr, Pt, Rb, Re, Ru, Sb, Sc, Se, Sm, Sn, Sr, Ta, Tb, Te, Th, Tm, U, W, Yb, Zn, Zr
B) 短時間の照射で分析可能な元素： Al, Ca, Cl, Cu, Dy, I, In, Mg, Mn, Na, Rh, Ti, V
C) DNAA法（短時間照射）： U
◎詳しくはPDF資料をご覧下さい。 （詳細を見る）
考古学・地球科学・地質学に中性子放射化分析サービス
中性子放射化分析のメリット
１）少量の試料(数ｍｇ～数ｇ程度)で分析が可能。
２）分析可能な濃度の範囲が広いppmまたはppb(標準でppm)のレベルから数十パーセントの範囲まで分析可能。
３）高精度(不確かさ: 標準4～5%)
４）分析元素の物理的形状や化学的状態に左右されない 同一のマトリックス組成の標準化が不要。
分析可能元素
A) 分析に長時間の照射が必要な元素： Ag, As, Au, Ba, Br, Ca, Ce, Cd, Co, Cr, Cs, Er, Eu, Fe, Ga, Ge, Gd, Hf, Hg, Ho, Ir, K, La, Lu, Mo, Nb, Nd, Os, Pd, Pr, Pt, Rb, Re, Ru, Sb, Sc, Se, Sm, Sn, Sr, Ta, Tb, Te, Th, Tm, U, W, Yb, Zn, Zr
B) 短時間の照射で分析可能な元素： Al, Ca, Cl, Cu, Dy, I, In, Mg, Mn, Na, Rh, Ti, V
C) DNAA法（短時間照射）： U
◎詳しくはPDF資料をご覧下さい。 （詳細を見る）
中性子放射化分析サービス
中性子放射化分析のメリット
１）少量の試料(数ｍｇ～数ｇ程度)で分析が可能。
２）分析可能な濃度の範囲が広いppmまたはppb(標準でppm)のレベルから数十パーセントの範囲まで分析可能。
３）高精度(不確かさ: 標準4～5%)
４）分析元素の物理的形状や化学的状態に左右されない 同一のマトリックス組成の標準化が不要。
分析可能元素
A) 分析に長時間の照射が必要な元素： Ag, As, Au, Ba, Br, Ca, Ce, Cd, Co, Cr, Cs, Er, Eu, Fe, Ga, Ge, Gd, Hf, Hg, Ho, Ir, K, La, Lu, Mo, Nb, Nd, Os, Pd, Pr, Pt, Rb, Re, Ru, Sb, Sc, Se, Sm, Sn, Sr, Ta, Tb, Te, Th, Tm, U, W, Yb, Zn, Zr
B) 短時間の照射で分析可能な元素： Al, Ca, Cl, Cu, Dy, I, In, Mg, Mn, Na, Rh, Ti, V
C) DNAA法（短時間照射）： U
◎詳しくはPDF資料をご覧下さい。 （詳細を見る）
取扱会社 中性子放射化分析サービス
【主な取扱商品】 テスト・モニター用ベアウェーハ(高精度・パーティクルチェック用・COP対策品）、コインロールウェーハ、SOI、拡散ウェーハ、ＳｉＧｅ、GaAs、Ｇｅ，サファイア、石英、等。 各種加工｛成膜・グラインダー(50μm以下も可能）ダイシング・サイズダウン・パターニング・Si再生研磨加工・洗浄加工}も対応可能です。 【CZウェーハ】 ■直径は1インチ〜450mmに対応可能 ■成膜加工可能 ■テストパターン付ウェーハ(4インチ〜12インチ）も対応 ■レチクルご支給によるテストパターニング受託も対応 【FZウェーハ】 直径30mmから8インチ、0.1 ohmから10k ohm cmを超えるような高抵抗シリコンウェーハを取り扱っております。製法はノンドープ、ガスドープ、中性子照射品などがあり、高ライフタイム、低酸素・低炭素濃度が特徴です。 【用途例】 □各種試作研究開発 □半導体製造装置評価 □太陽電池ウエハ… シリコン単結晶/多結晶/合成石英の各種加工品も取り扱っております。 化合物半導体や各種電子材料も取り扱っております。
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