東京電子株式会社
最終更新日:2020-04-20 15:50:41.0
電源装置『HiPIMS用パルス電源』
基本情報電源装置『HiPIMS用パルス電源』
高密度のプラズマを生成し、高いイオン化率により高品質の成膜をする方法を用いた電源装置
『HiPIMS用パルス電源』は、バイポーラパルスのアンカー効果により、
ハードコーティングを実現した電源装置です。
HiPIMS(High Power Impulse Magnetron Sputtering)とは、
スパッタリングの一種で、低いduty比で集中させた高い電力を
瞬間的にカソードに投入することで高密度のプラズマを形成する手法です。
表面の平滑性が良く、緻密な膜ができる等の様々な利点があります。
【特長】
■高密度のプラズマを生成
■高いイオン化率により高品質の成膜
■バイポーラパルスのアンカー効果でハードコーティングを実現
■反応性スパッタ、DLC、酸化膜、窒化膜成膜に対応
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
電源装置『HiPIMS用パルス電源』
HiPIMS(High Power Impulse Magnetron Sputtering)とは、
スパッタリングの一種で、低いduty比で集中させた高い電力を
瞬間的にカソードに投入することで高密度のプラズマを形成する手法です。
スパッタガス、ターゲットのイオン化率を著しく高めることにより、
表面平滑性、硬度、密着性の向上、緻密な膜ができる等の様々な利点があります。
【特長】
■高密度のプラズマを生成
■高いイオン化率により高品質の成膜
■バイポーラパルスによるアーク異常放電の抑制
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
(詳細を見る)
電源装置『アーク抑制型HF-HiPIMS用パルス電源 』
スパッタリングの最大の課題であるアーク異常放電を抑制する機能とHiPIMSの最大の課題である成膜レートを向上させる機能(特許取得済)を備えたHIPIMS用パルス電源です。
弊社独自のHF(High Frequency)モードはHiPIMSの波形の後段にHFパルスを入れることでターゲットのチャージアップをキャンセルし、アークレスな成膜を実現!
アーク異常放電を起こさないことにより平均電力をアップさせることができ成膜レートの向上をさせることができます。
【特長】
■HFモードでアーク異常放電を抑制させ、成膜不良を低減
■3段階パルスによりパルス幅が広がり平均電力がアップ
■アークカットではなく抑制する方法でカット時間をなくし成膜レートが向上
■後段のHFパルスによりアフターグローが長くなり成膜レートの向上
※詳しくはお問い合わせいただくか、PDFをダウンロードしてご覧ください。 (詳細を見る)
技術資料『HiPIMSで 最高クラスのスパッタ成膜を!』
スパッタリングとは大面積かつ、均一に薄膜形成が可能な方法であり、
半導体やLCDの製造に広く使用されています。
ただ、最大の課題である『成膜中に発生する異常放電(アーキング現象)』は
ターゲット表面が溶融、飛散することにより製品歩留まりを低下させてしまいます。
スパッタリング成膜『HIPIMS』の特性や特徴、アーキングの対策方法など
図解でわかりやすく解説した技術資料を無料プレゼント!
【掲載内容(一部)】
■HIPIMSとは
■HIPIMSの特性・特徴
■DCとHIPIMS膜構造の比較
■アーキングの対策
など
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。 (詳細を見る)
取扱会社 電源装置『HiPIMS用パルス電源』
○自社ブランド真空計開発・設計・製造 ・コンビネーションゲージ ・ピラニゲージ ・コールドカソードゲージ ・ホットカソードゲージ ○他社ブランド真空計開発・設計・製造 ・コンビネーションゲージ ・ピラニゲージ ・コールドカソードゲージ ・ホットカソードゲージ ・その他 ○加速器向け製品 ・各種真空計 ・真空ポンプ用電源 ・真空排気装置 ○電子(応用)機器の受託設計・製造 ・各種制御機器
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