株式会社イオンテクノセンター
最終更新日:2019-11-15 15:04:55.0
全1ページ [608KB]
微細な形状の観察、結晶性評価、不純物濃度測定、硬度測定、故障解析などにより研究開発のサポートを致します。
半導体材料分析項目原子レベルの構造観察、結晶構造、転位密度、膜厚表面形状、断面構造(膜厚)結晶性(面方位)、積層膜の周期構造表面組成、結合状態、深さ方向分布不純物濃度、深さ方向分析結晶構造、応力歪構成元素、組成表面のヤング率、硬度
半導体の微細な形状の観察、結晶性評価、不純物濃度測定、硬度測定、故障解析など 各種手法により研究開発のサポートを致します。 (詳細を見る)
1.受託物理分析 2.イオン注入加工
お問い合わせ内容をご記入ください。
あと文字入力できます。
※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。 株式会社イオンテクノセンター
PR企画一覧を見る