RAM CATHODE 原理

従来の平板式スパッタリングでは、基板に大きなダメージを与えており、
対向式スパッタリングでは、成膜速度が遅く実用に課題がありました。

当社の「RAMカソード」は、ターゲットで四方を囲むことにより、
ターゲット表面近くに濃いプラズマを発生させることに成功。

アルゴンイオンが勢いよく大きな力でターゲットにぶつかることによって、
従来までの課題を解決しました。

【特長】
■従来のプレーナー式カソードに比べて
　基盤にあたえるダメージを60%以上低減
■従来の対向式カソードに比べて成膜速度が3倍以上

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