京浜ラムテック株式会社 RAM カソード 原理
- 最終更新日：2024-07-02 13:25:26.0
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従来までの課題を解決！低ダメージ性を維持したまま、成膜速度を大幅に向上させました
従来の平板式スパッタリングでは、基板に大きなダメージを与えており、
対向式スパッタリングでは、成膜速度が遅く実用に課題がありました。
当社の「RAMカソード」は、ターゲットで四方を囲むことにより、
ターゲット表面近くに濃いプラズマを発生させることに成功。
アルゴンイオンが勢いよく大きな力でターゲットにぶつかることによって、
従来までの課題を解決しました。
【特長】
■従来のプレーナー式カソードに比べて
基盤にあたえるダメージを60%以上低減
■従来の対向式カソードに比べて成膜速度が3倍以上
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基本情報RAM カソード 原理
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カタログRAM カソード 原理
取扱企業RAM カソード 原理
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■真空成膜装置事業 ■FSW(摩擦撹拌接合)事業 ■マテリアル事業
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