東北大学技術：半導体記憶回路：T05-100

従来のCMOS回路を用いたLSIにおいては、クロック数の上昇に伴い、消費電力の増大が指摘されている。電流モードによる回路技術は、600MHｚ程度の周波数以上においては、CMOSよりも消費電力の低減が図ることができる。本発明は、多値作動ロジックに基づくフリップフロップの構成により、静的な記憶保持回路を提供するものである。 これまでの研究の結果で、多値差動ロジックを用いて、ロジック回路、記憶回路、複合回路の構成が可能となった。 （詳細を見る）