株式会社東北テクノアーチ 東北大学技術：半導体記憶回路：T05-100
- 最終更新日：2023-09-12 10:50:16.0
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多値差動ロジックを用いたロジック回路、記憶回路、複合回路
従来のCMOS回路を用いたLSIにおいては、クロック数の上昇に伴い、消費電力の増大が指摘されている。電流モードによる回路技術は、600MHｚ程度の周波数以上においては、CMOSよりも消費電力の低減が図ることができる。本発明は、多値作動ロジックに基づくフリップフロップの構成により、静的な記憶保持回路を提供するものである。 これまでの研究の結果で、多値差動ロジックを用いて、ロジック回路、記憶回路、複合回路の構成が可能となった。
基本情報東北大学技術：半導体記憶回路：T05-100
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