一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
最終更新日:2023-10-05 11:07:45.0
【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定_C0698
基本情報【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定_C0698
ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析
半導体材料に含まれる不純物は、リーク電流の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板について、基板表面に付着した不純物をICP-MS、基板中の不純物をGDMSで分析した事例をご紹介します。
【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定
半導体材料に含まれる不純物は、リーク電流の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板について、基板表面に付着した不純物をICP-MS、基板中の不純物をGDMSで分析した事例をご紹介します。
測定法:ICP-MS・GDMS
製品分野:パワーデバイス・製造装置・部品
分析目的:微量濃度評価
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取扱会社 【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定_C0698
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