【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析

半導体材料に含まれる不純物は、リーク電流の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板について、基板表面に付着した不純物をICP-MS、基板中の不純物をGDMSで分析した事例をご紹介します。
測定法：ICP-MS・GDMS
製品分野：パワーデバイス・製造装置・部品
分析目的：微量濃度評価

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基本情報【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定

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用途／実績例	パワーデバイス・製造装置・部品の分析です。

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【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定_C0698

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