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最終更新日:2024-04-04 10:18:18.0

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  • カタログ発行日:2024/04/04

【分析事例】トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所の複合解析_C0707

基本情報【分析事例】トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所の複合解析_C0707

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM(走査型顕微鏡法)で評価した事例をご紹介します。

分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析 製品画像

パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM(走査型顕微鏡法)で評価した事例をご紹介します。
測定法:EMS,SCM,SEM
製品分野:パワーデバイス
分析目的:故障解析・不良解析

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取扱会社 【分析事例】トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所の複合解析_C0707

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受託分析サービスで、研究開発を行う皆様をサポートします! 半導体・金属・電池などのエレクトロニクス材料や、医薬品・化粧品・食品・環境などのライフサイエンス分野に幅広く対応。 SIMS・TEM・XRD・ICP-MS・GC/MS・AES・SEM・EPMA・EELSなど、さまざまな分析装置を保有し、分析ニーズに応えます。 まずはご相談下さい。 ◆事業領域◆ 1. 科学技術分野における材料に関する基礎的研究及び解析・評価。 2. 半導体、生理学生化学、バイオ関連分野及び各種先端的分野についての基礎的研究及び解析・評価。 3. 1、2号に掲げる国内外における関連分野の研究機関又は個人に対する表彰及び支援。 4. 1、2号に掲げる研究成果等の出版または出版の支援。 5. 1、2号に掲げる国内外における関連分野の調査。 6. 1、2号に掲げる国内外における関連分野に関する研修の実施及び支援または研修所の運営。 7. その他目的を達成するために必要な事業。

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