一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
最終更新日:2024-04-04 10:18:18.0
【分析事例】トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所の複合解析_C0707
基本情報【分析事例】トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所の複合解析_C0707
デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供
パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM(走査型顕微鏡法)で評価した事例をご紹介します。
分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析
パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM(走査型顕微鏡法)で評価した事例をご紹介します。
測定法:EMS,SCM,SEM
製品分野:パワーデバイス
分析目的:故障解析・不良解析
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取扱会社 【分析事例】トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所の複合解析_C0707
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