SiC・ガラス等の難加工素材を高速割断　TLS-Dicing 光

加工が極めて難しい「SiC・ガラス等」を高速割断可能！EV普及に必須の技術！

EV（電気自動車）の普及や、電子機器間のネットワーク接続など電力消費の増加に伴い、
より高出力・高電流に対応可能な半導体のニーズが高まっており、
SiCなどの次世代半導体材料を用いた「パワー半導体」が注目されています。

しかし、硬くて脆い「SiC」の加工には高い技術が求められます。
従来の機械・レーザー切断では、加工速度の遅さやチッピングの発生を始め、
切断幅があり生産量が低下したり、電極面が切断できないなど多くの問題があります。

弊社のレーザー微細加工「TLS-Dicing」は、加熱と冷却の温度差による熱応力を利用し、
SiCやガラス等の加工が難しい素材でも高速な割断が可能です。
難削半導体材料を扱う様々な業界で活用いただけます。

※難削材、硬脆性材の実際の加工写真やデータは、下記よりダウンロードしてご覧頂けます。

関連リンク - http://www.hikalikk.jp/

基本情報SiC・ガラス等の難加工素材を高速割断　TLS-Dicing

レーザー微細加工「TLS-Dicing」は、加熱と冷却の温度差での熱応力により、
難削脆性半導体材料を高速に割断可能。環境にもやさしいグリーンテクノロジーです。

【導入メリット】
・高速加工：200mm/s以上
・非接触加工：工具磨耗なし
・割断幅ゼロ：生産性向上
・クラックレス：曲げても割れない
・完全割断：裏面電極も同時に割断可能
・一括割断：積層基材も一度に割断可能
・熱損傷なし：レーザー切断では熱損傷がある
・格子面に依存しない加工：ウェハーのリサイズも可能
・コスト：低いメンテナンスコスト

※難削材、硬脆性材の実際の加工写真やデータは、
添付資料をダウンロードしてご覧頂けます。

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用途／実績例	【対応材料例】 Sic、Si、GaAs、Ge、ガラス等。 ※詳しくは、直接お問い合わせ下さい。