【分析事例】SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価

市販のSiCパワーMOS FET素子の解析事例をご紹介します。
SiC材料では、SiだけでなくCを含めた系での材料制御が必須となり、従来のSi半導体の製造方法と違いがあります。コンタクト電極とSiC層のオーミック接合形成プロセスにおいて、TEMを用いたEDX/EELS分析および電子回折から、Cを含めた元素分布や結晶相を評価しました。

基本情報【分析事例】SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価

詳しいデータはカタログをご覧ください

価格情報	-
納期	お問い合わせください
用途／実績例	パワーデバイスの分析です

カタログ【分析事例】SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価

【分析事例】SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価

PDFダウンロード電子ブックをすべて見る

取扱企業【分析事例】SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価

一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

受託分析サービスで、研究開発を行う皆様をサポートします！半導体・金属・電池などのエレクトロニクス材料や、医薬品・化粧品・食品・環境などのライフサイエンス分野に幅広く対応。 SIMS・TEM・XRD・ICP-MS・GC/MS・AES・SEM・EPMA・EELSなど、さまざまな分析装置を保有し、分析ニーズに応えます。まずはご相談下さい。 ◆事業領域◆ 1. 科学技術分野における材料に関する基礎的研究及び解析・評価。 2. 半導体、生理学生化学、バイオ関連分野及び各種先端的分野についての基礎的研究及び解析・評価。 3. １、２号に掲げる国内外における関連分野の研究機関又は個人に対する表彰及び支援。 4. １、２号に掲げる研究成果等の出版または出版の支援。 5. １、２号に掲げる国内外における関連分野の調査。 6. １、２号に掲げる国内外における関連分野に関する研修の実施及び支援または研修所の運営。 7. その他目的を達成するために必要な事業。