PICOSUN JAPAN株式会社 ALD(アトミックレイヤーデポジション) アプリケーション例
- 最終更新日:2023-09-01 15:13:16.0
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当社では、フィンランド・Picosun社のALD成膜装置を取り扱っております。
ALD (アトミックレイヤーデポジション)は、既存のPVD, CVD,蒸着等の
成膜技術より、段差被覆性に優れ、膜厚が1原子層レベルで制御でき、
バリア性が高く膜質が良いなどの特長があります。
当資料では、アプリケーション例を写真でご紹介しています。
【アプリケーション例】
■トレンチの成膜
・Al2O3/Ta205ナノラミネート
・SiO2
■光学薄膜
・Al2O3/Ta205 (7nm/2nm) ナノラミネート
■MEMSデバイス
・アクチュエーター、RFフィルター、MEMSスイッチ
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報ALD(アトミックレイヤーデポジション) アプリケーション例
【その他のアプリケーション例】
■粉体の成膜/バッテリー
■腐食防止
■LED
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価格帯 | お問い合わせください |
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納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
取扱企業ALD(アトミックレイヤーデポジション) アプリケーション例
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■ALD成膜装置の製造・販売及びアフターサービス ALD(Atomic Layer Diposition、原子層堆積)とは、真空を利用した成膜技術の一つです。ALDは既存のPVD/CVD成膜技術より、下記の点において優位性がある為、急速に市場に浸透してきています。 ・優れた段差被覆性(付きまわり性) ・膜厚が1原子層レベル(約1Å=0.1nm)で制御でき、膜厚分布が良い ・バリア性が高く膜質が良い ・比較的低温で処理可能 ALDの応用分野は、半導体・電子部品・燃料電池・リチウム電池・有機EL・太陽電池・ディスプレイ・LED・メディカル等です。 ALDが爆発的に普及するきっかけとなったのは、半導体メモリのゲート酸化膜形成ですが、その特性から、微細粉末/ナノパーティクルコーティング、MEMS等超小型部品の保護膜・絶縁膜としても使われています。 ワーク表面と共有結合するため密着性も良好で、他の皮膜との間の接着層としても機能します。 ドライプロセスのため、有機溶剤への作業者の暴露低減目的で既存のウェットプロセス代替としても検討されており、ナノレベル表面処理として幅広い分野で注目されています。
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