『RTP-100』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、
卓上型真空プロセス高速加熱炉です。
Φ4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルのプロセスも可能です。
最大到達温度1200℃で多彩なガスパージ環境に対応。
GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、
多目的にお使い頂けます。
【特長】
■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス（水素＋窒素）パージの他、
高濃度水素ガスパージにも対応
■上下18本のIR (赤外）ヒーターで、正確な高速加熱が可能
■高純度石英チャンバー
■窒素ガスパージ方式による降温に対応
■プロセスガス最大4系統(MFC)
■到達真空度10-1Pa (TMP搭載のHVモデルなら10-3Paも可能）
■タッチパネル方式モニター標準装備で、オペレーションが簡単
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100
【仕様】
■装置サイズ（WxDxH）：504 x 504 x 700mm
■装置重量：約55kg
■有効対象物サイズ（WxD）：100 x 100mm
■加熱方式：IRヒーター
■最大到達温度：1200℃
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：150K/sec.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：190K/min.（T=1200℃>400℃）
■冷却方式：窒素ガスパージ方式
■真空到達度：10-1Pa ※HVモデルは 10-3Pa
■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700）
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■プログラムステップ数：最大50ステップ
■プロセスデータ保存先：USBメモリ/Ethernet
■電源仕様：2x三相200V 50/60Hz 最大40A（合計80A）
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
| 価格情報 | 1000万〜1500万円（機種・オプションに依る） |
|---|---|
| 価格帯 | 1000万円 ~ 5000万円 |
| 納期 |
お問い合わせください
※ご注文確定より最短3ヶ月〜4ヶ月（状況により納期が変動しますので、詳しくはお問い合わせください。） |
| 型番・ブランド名 | RTP-100/RTP-100-HV |
| 用途／実績例 | 【用途】 ■SiからSiC,GaN,Ga203材料など様々な高温熱処理 ■窒化・酸化膜生成 ■イオン注入後の結晶活性化 ■オーミック性接合形成 ■Low-k材熱処理 ■水素アニール処理によるSiラフネス低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
ラインナップ
| 型番 | 概要 |
|---|---|
| RTP-100 | |
| RTP-100-HV | |
| RTP-150 | |
| RTP-150-HV | |
| RTP-150-EP | |
| VPO-1000-300 |
カタログΦ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100
取扱企業Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100
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「商社」事業と「メーカ」事業にて展開しており、多様化するお客様のニーズに対して、ご満足いただける広範なビジネスソリューションを ご提案いたします。 ◆商社機能 「産業機械設備」 半導体製造・検査装置、医薬品製造装置 https://www.nissei.co.jp/machinery ◆商社機能 「物資・化成品等」 樹脂・金属・その他加工品、電子・電気部品 https://www.nissei.co.jp/material ◆商社機能 「情報・通信機器」 自動認識機器、アンテナ、ネットワーク通信機器 https://www.nissei.co.jp/it ◆メーカ機能 「機械式駐車場設備」 https://www.nissei.co.jp/parking ◆メーカ機能 「凍結乾燥機」 https://www.nissei.co.jp/freezedry
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