ウェーブクレスト株式会社 ダブルパルス磁場源セット
- 最終更新日：2024-07-02 14:35:59.0
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製品のハイライト
- 干渉パルス生成用の最高電圧は最大 1000 V
- 25 ns 以内に 2 つの干渉パルスを連続して発生
- コイル径が250 µm（モデルによる） のプローブ チップ
基本情報ダブルパルス磁場源セット
ハードウェア障害注入は、セキュリティ保護されたシステムをクラックするための確立された潜在的に危険な方法として知られています。電磁障害注入 (EMFI) では、妨害されるシステムが局所的に磁場パルスにさらされ、デバイスの物理的な混乱や論理エラーにつながる可能性があります。通常、めったに発生しない脆弱性を悪用するソフトウェア攻撃とは異なり、ハードウェア攻撃はこれらの脆弱性とは独立して発生するため、より多くのターゲットに対して成功する可能性があります。
新しいパルス プローブの重要な機能の 1 つは、妨害パルスを生成するために使用される拡張された電圧範囲です。最大 1000 V (妨害電力が大幅に増加) により、新しい脆弱性を見つけることができます。
2 つ目の重要な機能は、最小 25 ns 以内に 2 つの妨害パルスを放出できることです。これにより、単一の妨害イベントに対して強化されたシステムへの攻撃を成功させることができます。
Langer EMV-Technik の ICI-DP プローブは、最高のパルス電力を提供し、詳細な分析とデバイスの堅牢な保護を可能にします。
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | - 電磁障害注入 (EMFI) - EM パルス結合 - IC セキュリティ / 組み込みセキュリティ - ダブル パルス シーケンスによる高度な攻撃が可能 |
ラインナップ
| 型番 | 概要 |
|---|---|
| ICI-DP HH1000-15 | プローブヘッド寸法： 直径1000µm 立上り時間： 2ナノ秒 最小ダブルパルスシーケンス時間： 25ナノ秒（200V） 極性（ソフトウェアで設定）： +/- 電圧： 50-1000V 最大ジッタ（標準）： ±1ナノ秒 最小トリガーパルス遅延： 35ナノ秒 |
| ICI-DP HH500-15 | プローブヘッド寸法 直径500µm 立上り時間： 2ナノ秒 最小ダブルパルスシーケンス時間： 25ナノ秒（200V） 極性（ソフトウェアで設定）： +/- 電圧： 50-1000V 最大ジッタ（標準）： ±1ナノ秒 最小トリガーパルス遅延： 35ナノ秒 |
| ICI-DP HH250-15 | プローブヘッド寸法 直径250µm 立上り時間： 2ナノ秒 最小ダブルパルスシーケンス時間： 25ナノ秒（200V） 極性（ソフトウェアで設定）： +/- 電圧： 50-1000V 最大ジッタ（標準）： ±1ナノ秒 最小トリガーパルス遅延： 35ナノ秒 |
カタログダブルパルス磁場源セット
取扱企業ダブルパルス磁場源セット
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・電磁界測定器、電磁界暴露モニター、各種電磁界プローブ、EMC測定用アンテナなどの販売 ・マイクロ波、ミリ波用ハンドヘルドスペアナ、強電界＆ミリ波帯対応光電界プローブ、アンテナなどの販売 ・電磁波シールドテント、EMCプリコンプライアンス測定用ソフトウェア、疑似電源回路網（LISN）、TEMCellなどEMC関連試験装置の販売、及びコンサルティング ・モータ＆コイル試験用インパルス巻線試験機の販売 ・二酸化炭素モニター、ダストモニターなど各種IoT環境機器の販売 ・オシロスコープ、スペクトラムアナライザ、信号発生器、電源などの汎用計測器機器の販売
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