【分析事例】酸化ガリウムGa2O3 イオン注入ダメージ層の評価一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

イオン注入後のアニール条件の違いによる差異を確認

酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが広く、優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。デバイスの開発には、特性を左右する不純物濃度や結晶性の制御が重要です。本資料では、イオン注入による結晶構造の乱れから生じるダメージ層及び表面粗さの変化を、アニール条件毎に観察した結果を示します。
測定法：TEM・AFM
製品分野：酸化物半導体・パワーデバイス
分析目的：形状評価・構造評価

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基本情報【分析事例】酸化ガリウムGa2O3 イオン注入ダメージ層の評価

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用途／実績例	酸化物半導体・パワーデバイスの分析です。

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【分析事例】酸化ガリウムGa2O3 イオン注入ダメージ層の評価_C0718

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