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    SiC(炭化ケイ素,シリコンカーバイド)

    小さなオン抵抗!発光ダイオードの基板としても使用されています。

    株式会社新陽の主要製品である『SiC(炭化ケイ素,シリコンカーバイド)』 のご紹介です。 シリコンに比べてバンドギャップが約3倍(3.26eV)広く、熱伝導率も 3倍以上(4.9W/cm・k)、絶縁破壊電圧は約10倍(2.8MV/cm)という特性を持ち、 Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1200Vに達します。 パワーMOSFET,IGBT,ショットキー・バ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社新陽

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