• 【分析事例】2,4-ジクロロフェノールの分析 製品画像

    【分析事例】2,4-ジクロロフェノールの分析

    容器貸し出しから分析結果までトータルでサポートします!

    水質汚濁に係る生活環境の保全に関する環境基準のうち、水生生物の保全に係る環境基準の要監視項目に、新たに2,4-ジクロロフェノールが追加されました(平成25年3月27日)。2,4-ジクロロフェノールは、環境の汚染を通じ、水生生物の生息又は生育に支障を及ぼすおそれがあるとされ、指針値は水域・類型別に0.003~0.03 mg/Lと設定されております。 MSTでは専用の容器貸し出しから測定まで一括で行...

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  • 【分析事例】GPCによる分子量分布測定 製品画像

    【分析事例】GPCによる分子量分布測定

    HPLC:高速液体クロマトグラフ法

    GPC(Gel Permeation Chromatography:ゲル浸透クロマトグラフィー)はHPLCの分離モードの一つで、高分子化合物の分子量などを評価する手法です。 一度の分析で数平均分子量(Mn)、重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求めることができ、分布の様子を比較することも可能です。SEC(Size Exclusion Chromatography:サイズ排除クロマトグラ...

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  • 【分析事例】ヤムイモ中ジオスゲニンのLC/MS分析 製品画像

    【分析事例】ヤムイモ中ジオスゲニンのLC/MS分析

    ジオスゲニン配糖体の定性・定量分析

    ジオスゲニンは滋養強壮作用に加えて、アルツハイマー病の改善効果や運動機能を高める効果も近年報告されており、注目されている成分です。天然のジオスゲニンは主に配糖体として存在しており、食品の中ではヤムイモに多量に含まれています。本事例ではヤムイモの抽出物をLC/MSで定性分析を行い、複数のジオスゲニン配糖体を確認しました。また、配糖体を加水分解してアグリコン(非配糖体)に統一することで、ジオスゲニンの...

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    【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価

    高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能

    半導体の製造工程において表面改質を目的としたイオン照射を行うことがあります。その中で、単結晶Si表面に不活性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されることを利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介します...

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  • 【分析事例】ポリイミド樹脂の構造解析 製品画像

    【分析事例】ポリイミド樹脂の構造解析

    熱分解GC/MS法によりポリイミド樹脂の構造解析が可能

    ポリイミド樹脂は耐熱性・耐薬品性・強靭性に優れ、また絶縁性も高いため、電子機器の絶縁材料をはじめ種々の用途に用いられています。しかし溶剤溶解性がほとんど無いことから、構造決定のための分析手段は限られてしまいます。本事例では市販のポリイミド樹脂の熱分解GC/MS測定を行った事例を紹介します。保持時間の長い高沸点成分に、ポリマー構造を反映した熱分解生成物が複数観測され、本法が構造決定の有力な手段である...

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  • 【分析事例】ポリカーボネート表面の劣化評価 製品画像

    【分析事例】ポリカーボネート表面の劣化評価

    TOF-SIMSを用いた樹脂表面の劣化による構造解析

    ポリカーボネート(PC)は熱可塑性プラスチックの一種であり、優れた透明性・耐衝撃性・耐熱性などの特長があります。加水分解によって劣化が進み原材料のビスフェノールA(BPA)が生成されることが報告されており、特に太陽電池パネルでは、UV(紫外線)照射によって試料表面がどのように変化するかを把握することが重要です。 以下にUV照射によるPC表面の劣化度合いをTOF-SIMSを用いて評価した事例をご紹...

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    【分析事例】毛髪中ヘアケア剤成分の分布評価 2

    使用しているヘアケア剤の種類による浸透成分の違い、分布の違いを可視化

    日常生活で使用しているヘアケア剤が異なる5人(A~E)について、毛髪断面をTOF-SIMSで分析しました。 その結果、ヘアケア剤の種類により検出される成分および毛髪中での分布が異なることが分かりました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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  • 【分析事例】高分子材料の添加剤評価 製品画像

    【分析事例】高分子材料の添加剤評価

    LC/MSによる成分の定性

    樹脂製品などの高分子材料には、可塑剤をはじめとする多くの添加剤が使われています。市販のPVC樹脂に含まれる添加剤の定性を行った事例をご紹介します。有機溶媒に浸して溶出した成分をLC/MSを用いて定性しました。その結果、可塑剤としてDEHP(DOP)およびエポキシ化油脂(可塑剤・安定剤)と推定される成分が検出されました。 標準試料を用いることで、検出された各添加剤成分の定量を行うことも可能です。....

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  • 【分析事例】CIGS薄膜太陽電池バッファ層界面の観察 製品画像

    【分析事例】CIGS薄膜太陽電池バッファ層界面の観察

    超高分解能STEMによるZn(S, O, OH)/CIGS接合界面の結…

    Csコレクタ付きSTEM装置を用いて接合界面を直接観察することで、原子レベルでの結晶構造評価が可能です。今回、CIGS薄膜太陽電池のバッファ層にZn(S,O,OH)を用いた系でバッファ層/CIGS界面のHAADF-STEM像観察を行い、構造を評価しましたので紹介いたします。 その結果、バッファ層にCdSを用いた試料に比べ、接合部の結晶構造が不鮮明で、エピタキシャル接合にはなっていないことが示唆さ...

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  • 【分析事例】ポジ型フォトレジストの構造解析 製品画像

    【分析事例】ポジ型フォトレジストの構造解析

    熱分解GC/MS法により感光剤の構造解析が可能

    ポジ型フォトレジストは、半導体デバイス製造時のフォトリソグラフィー材料として広く用いられています。 レジストに使用される素材は露光光源によって大きく異なりますが、g線、i線用のレジストでは一般にベース樹脂としてクレゾールノボラック樹脂、感光剤としてナフトキノンジアジド化合物が用いられています。本事例では熱分解GC/MS法によってナフトキノンジアジド化合物を分解し、母核の構造を推定した事例を紹介し...

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    【分析事例】TDSによる有機膜の熱処理温度依存性評価

    試料のベーク温度の違いによる脱ガスの変化をTDSで確認できます

    TDSは昇温と共に脱離する無機ガス・有機ガスについて、脱離の温度依存性も評価可能です。そのため、試料のベーク温度による脱ガスの評価に有効です。 レジスト膜について50℃ベーク、200℃ベークを行い、それぞれについてTDS分析を行った結果を示します。「50℃ベーク後」に検出された200℃までの脱ガスピークが、「200℃ベーク後」では検出されていないことが確認できました。...詳しいデータはカタログ...

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  • 【分析事例】歯科インプラントの分析 製品画像

    【分析事例】歯科インプラントの分析

    チタン(Ti)の酸化・水素化の深さ方向の状態評価が可能

    歯科インプラントとは、虫歯や歯周病などにより歯を失った場合に顎の骨に埋め込む人工的な器具です。 生体に埋め込むため、生体組織と直接触れる表面部の状態評価が重要です。 TOF-SIMSは最表面の定性分析に加え、最表面での深さ方向分解能に優れ、高感度に深さ方向の状態評価を行うことが可能です。 本事例では、歯科インプラントのTiの状態を深さ方向に評価した結果をまとめております。...詳しいデータは...

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  • 【分析事例】樹脂のアウトガス(脱ガス)分析 製品画像

    【分析事例】樹脂のアウトガス(脱ガス)分析

    接着剤加熱時に発生する腐食性ガスの分析

    接着剤などの樹脂材料は硬化後であっても、加熱した際にガス成分が発生することがあります。製造装置などに樹脂が含まれる場合、発生したガス成分は装置や製品に悪影響を及ぼすことがあるため、実際の材料を使用する温度や雰囲気でアウトガス成分を把握しておくことが重要です。 本事例ではエポキシ系接着剤を硬化後に加熱し、発生したガスをヘッドスペース- GC/MSにより分析した結果を紹介します。...詳しいデータは...

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  • 【分析事例】微細トランジスタの構造評価 製品画像

    【分析事例】微細トランジスタの構造評価

    Csコレクタ付TEMによる高分解能TEM観察

    TEMの球面収差を補正したCsコレクタ付TEM装置を用いることで、高分解能で素子の断面構造観察を行うことができます。 本事例では市販のMPUトランジスタ部の高分解能(HR)-TEM観察とEDX元素分布分析を行ったデータを紹介します。3次元的な構造を持つFinFETのような微細な多層構造でも、Csコレクタ付TEMを用いることで素子の構造や元素分布を明瞭に観察することが可能です。...詳しいデータは...

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  • 【分析事例】SRAの深さ換算について 製品画像

    【分析事例】SRAの深さ換算について

    SRA:広がり抵抗測定法

    SR測定は試料を斜め研磨して、その試料面に2探針を移動させながら接触させ、直下の電気抵抗を測定します。 ある測定点における試料表面からの深さは三角関数の定義より、試料の斜め研磨角度をθとした時のSinθの値(ベベルアングル) とベベルエッジからその測定点までの距離の積より求められます。 尚、ベベルエッジから距離は【X-step 】×【測定点数】となります。...詳しいデータはカタログをご覧くだ...

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