Nalgene HDPEパッケージングボトル

PRRNase、DNase、ヒトDNAフリー、かつパイロジェンフリーで、高…

Thermo Scientific Nalgene HDPEパッケージングボトルは、生体関連物質や異物のコンタミネーションリスクを最小限に抑えているボトルです。 頑丈で注ぎやすい細口のHDPEボトルで、適切にコントロールされた環境で製造されております。 優れた化学薬品耐性、滅菌性に加え、ヒトDNA、RNase、DNaseフリー、かつパイロジェンフリーが加わり、高品質な製品となっています。 ...

メーカー・取り扱い企業： サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社／Thermo Fisher Scientific K.K.

細胞培養液成分を最大16項目同時測定する分析装置！分析解説資料有

PR【細胞培養液分析解説資料進呈】最大16項目を4分30秒で同時測定・分析…

『BioProfile FLEX2』は、細胞培養液成分を最大で16項目同時分析可能な細胞培養環境自動分析装置です。 わずか4分半で代謝・増殖・分化などの培養状況を数値化でき「細胞製造プロセスの継続判断」「大量生産を見据えた培養環境づくり」「GMP対応に向けた品質管理・基準の文書化」などの効率化に貢献します。 複数の形状のサンプル容器を備え、必要な検体量は135～265μLと少量。化学物質、ガス測定...

メーカー・取り扱い企業： ノバ・バイオメディカル株式会社

【分析事例】Si表面のH終端の解析

処理の違いによるSi表面のSiHや状態の定性・相対比較

Si表面についてHF処理後、オゾン処理後の状態を比較しました。 正イオンスペクトルではSiのピーク強度が異なりました。HF処理後のSi強度が弱いのはSiが金属系のためで、一方、UV-オゾン洗浄後やAs ReceivedのSi強度が強いのはSiが酸化物系のためです。 負イオンスペクトルからは、HF処理後ではSiF,SiH,Six系、UV-オゾン洗浄後やAs ReceivedではSiO2系など表...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】NPT-IGBT中ドーパント調査

イメージングSIMSによって局在する元素の評価が可能

NPT-IGBTエミッタ側の50μm角の領域についてイメージングSIMS測定を行いました。図1に分析によって得られた11B,Asのイオンイメージを示します。11BとAsは同じ領域に注入されていることがわかります。 また、通常の分析では検出領域全体の各元素の平均濃度が算出されてしまいますが、イメージングSIMS測定においては、部分的にデプスプロファイルを抽出することができるため、面内に局在するドー...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】極浅注入プロファイルの評価

極浅い領域においてもドーパント分布・接合の評価が可能

デバイスの微細化により、極浅い領域における不純物の深さ方向分布評価の必要性が高まっています。 正確な評価を行うためには、通常よりも低いエネルギー(1keV以下)の一次イオンビームを用いたSIMS分析が必要になります。図1にBF2+ 1keV, P+ 1keV, As+ 1keVで注入されたSiウエハを一次イオンビームエネルギー250eV～300eVを用いて測定した例を示します。...詳しいデータ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】熱分解GC/MSダブルショット法による添加剤の同定

TG-DTAとGC/MSを用いた複合解析

ック部分の熱分解温度を調べ、熱分解温度以下での緩やかな昇温（熱脱着法）と、その後の高温での瞬間加熱（熱分解法）の2条件でGC/MS測定を連続的に行うこと（ダブルショット法）により、このプラスチックはAS樹脂であり、添加剤として酸化防止剤：IRGANOX 1076が含まれていることがわかりました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】MEMS中ドーパントの三次元分布評価

イメージングSIMSにより微小領域・微量元素の濃度分布を可視化できます

市販品MEMSについて、BとAsの三次元イメージングSIMS測定を行いました（測定領域：75μｍ角、深さ：約1.5μm）。測定後のデータ処理により、任意断面・任意深さの面分布、任意領域の深さ方向分布、任意箇所のラインプロファイルの抽出が可能です。 注） イオンビームで試料を掘りながら、深さ方向にイメージを取り込みますので、破壊分析となります。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1

SiC中B,Al,N,P,Asについて、高感度で深さ方向分布の評価が可…

SiCはその物性からパワーデバイス材料として用いられていますが、Siとは異なりイオン注入後の熱処理によるドーパントの拡散が困難なため、多段イオン注入により深さ方向への分布を制御する必要があります。SIMS分析は高感度（ｐｐｍ以下）で深さ方向の不純物濃度を評価することができるため、SiC中のドーパント元素の分布評価に適しています。また、軽元素（H,C,O,Fなど）の分布についても評価可能です。評価し...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST