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スマートフォンのカバーガラス等、幅広い用途が期待されています。
人工的に 成長(単結晶化)させた結晶体です。 モース硬度9を持ち、石英以上の高融解点(2.053℃)と耐プラズマ特性、 さらに光学的・化学的・電気的にも優れた特性を併せ持ちます。 LED用GaN(窒化ガリウム)成長基板を中心に、各種基板の他、大型単結晶 サファイア(Max.φ370mm)を安価に量産出来る様になった事も有り、 各種機構用部品にも幅広い用途が期待されており、スマ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社新陽
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小さなオン抵抗!発光ダイオードの基板としても使用されています。
と同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1200Vに達します。 パワーMOSFET,IGBT,ショットキー・バリア・ダイオード(SBD)等に好適。 半導体の他、発光ダイオード(LED)の基板としても使用されております。 【特長(SiCパワー半導体素子)】 ■小さなオン抵抗 ■短いスイッチング時間 ■高温動作 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社新陽
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