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PRRNase、DNase、ヒトDNAフリー、かつパイロジェンフリーで、高…
Thermo Scientific Nalgene HDPEパッケージングボトルは、生体関連物質や異物のコンタミネーションリスクを最小限に抑えているボトルです。 頑丈で注ぎやすい細口のHDPEボトルで、適切にコントロールされた環境で製造されております。 優れた化学薬品耐性、滅菌性に加え、ヒトDNA、RNase、DNaseフリー、かつパイロジェンフリーが加わり、高品質な製品となっています。 ...
メーカー・取り扱い企業: サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社/Thermo Fisher Scientific K.K.
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SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価
ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察
他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析(破壊分析)をご提案します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます
近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC Trench MOSFETに関して、SNDM(走査 型非線形誘電率顕微鏡)にてキャリア極性判定をSMM(走査型マイクロ波顕微鏡法)にてキ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます(拡散層構造の高感度評価)
SNDM (走査型非線形誘電率顕微鏡)では半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM(走査型静電容量顕微鏡)の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、S...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価
デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価
近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性に関わってきます。本資料ではSiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さについて、AFM(原子間力顕微鏡)を用い...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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