バラっこりー

PR面倒な花蕾バラシ作業も簡単・らくらく！切断箇所の変更も可能

当社で取り扱う、『バラっこりー』をご紹介します。 操作が簡単で、受皿に置くだけの製品。刃物変更により切断箇所の 変更も可能です。花蕾部は前方へ、茎部は側面へ排出します。 製品の大小によって使い分け可能で、ラインアップにはダブルと シングルがございます。ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【ダブル 仕様】 ■能力：約30個/分 ■機械寸法：1,000(W)×1,600(L)×1,500...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イナモク

バックターン洗浄機　自動戻りシステム搭載

PR洗浄後にワークが自動的に戻ってくるため、一人での作業を実現。 移動…

『バックターン洗浄機』は、洗浄出口からワークの自重でコンベヤに落下し戻ってくる方式で、複雑な制御装置が要らず一人作業で、コスト削減が見込める洗浄システムとなっております。 掲載画像寸法：1,350(H)×1,813(W)×4,800(L)mm。 ※コンベヤー部も含めた寸法です。 ※お客様の仕様により寸法は変わります。 ※乾燥機を装備する事も可能です。 【特長】 ■一人作業でコス...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ヒタカ精機

NMR分析サービス

NMRで有機物から無機物まで、組成や分子構造を幅広く分析！ 検討から…

【分析事例】 ・電池/半導体：電解液の溶液 NMR や大気非曝露での多核・固体 NMR 測定 ・樹脂/ポリマー：樹脂成分やポリマーの組成・劣化解析が可能 ・食品/環境：食品・サプリメント中の成分の定量や劣化状態の分析 ・医薬/バイオ：薬物と受容体の相互作用の有無や強弱の測定が可能...○感度良く分析できます！ ・共鳴周波数600MHz (1H) での高感度測定により、不純物レベルでの分析...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】半導体基板中軽元素の高感度分析

SIMS分析によりH, C, N, O, Fなどを1ppm以下まで評価…

他手法では評価が難しい半導体基板中のH,C,N,Oを1ppm(約5E16atoms/cm3)以下まで、Fを1ppb(約5E13atoms/cm3)以下の濃度まで検出可能です。実際のFZ-Si中における測定例（図1）とIII-V族半導体のバックグラウンドレベルを紹介します（表2）。III-V族半導体以外にも、金属膜・絶縁膜など各種材料で標準試料をとりえ揃えており、高感度な定量分析が可能です。半導体基...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】TDSによるレジスト膜の脱ガス評価

TDSにより有機膜からの脱ガス成分評価、温度依存性評価が可能です

TDSは高真空中（1E-7 Pa）で試料を昇温し、試料から脱離するガスを質量分析計を用いて調査する手法です。真空装置であるため有機物の多量の脱離を嫌いますが、試料量を調整することによりTDSで評価が可能です。 レジスト膜についてTDS分析を実施した例を以下に示します。有機物、水、H2S、SO2などレジスト膜起因の脱ガスが検出されました。また成分により、脱離の温度が異なることが分かりました。......

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1

SiC中B,Al,N,P,Asについて、高感度で深さ方向分布の評価が可…

SiCはその物性からパワーデバイス材料として用いられていますが、Siとは異なりイオン注入後の熱処理によるドーパントの拡散が困難なため、多段イオン注入により深さ方向への分布を制御する必要があります。SIMS分析は高感度（ｐｐｍ以下）で深さ方向の不純物濃度を評価することができるため、SiC中のドーパント元素の分布評価に適しています。また、軽元素（H,C,O,Fなど）の分布についても評価可能です。評価し...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si酸化膜・ITO膜中の「水」の評価

｢重水(D2O)処理」を用いた水素の深さ方向分析

厚み1um以下の薄膜における水(H2O)の浸透性を、膜中の重水素(D)の分布を測定することで評価した事例をご紹介します。薄膜中にもともと水素（H)が存在する場合、水の影響による水素であるかを区別することが困難です。そこで、重水（D2O)による処理を行い、天然同位体である重水素の分布をSIMS※1にて深さ方向に測定しました。重水素の深さ方向分布を調べることで、水がどの深さまで浸透したかを推定すること...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST