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白色LED中のチップ、蛍光体の発光特性の確認
白色LEDは長寿命・省エネルギーであるため、近年需要が照明用途を中心に急激に増加しています。 白色LEDは青色の半導体チップを電気によって発光させ、その発光によって周囲の蛍光体（主に黄色）を光らせることにより白色を演出しています。そのため、発光特性の向上や劣化原因の調査においては半導体チップ・蛍光体それぞれの発光特性の確認が必要です。 顕微フォトルミネッセンス（PL）装置は微小な領域を狙っての...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】GaN系LED構造中MgのSSDP-SIMS分析
裏面側からGaN系LED構造中の不純物プロファイルを取得可能
GaN系LEDにおいて、ドーパント元素であるMgが活性層まで拡散することにより発光効率が低下すると言われております。 本資料ではGaN系LED構造試料において、表面側及びサファイア基板側(裏面側)からSIMS分析を行い、Mgの深さ方向濃度分布を評価した事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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凹凸のある構造でも平坦化加工により深さ方向分布評価が可能
GaN系LEDは照明用途としても広く用いられるようになりました。光の取り出し効率を高めるため、取り出し面に凹凸を設けることがありますが、この凹凸が深さ方向分析における深さ分解能の劣化を招きます。 テクスチャ凹凸面に平坦化加工を施すことにより深さ分解能の劣化を抑えて深さ方向濃度分布を評価した事例と、バックサイド(基板側)から分析を行った事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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目的に応じた分析条件で測定します
GaN系LED構造のドーパント元素であるMgやSiの深さ方向濃度分布を複数の分析モードで評価した事例をご紹介します。 SIMS分析では目的に合わせて最適な分析モードを選択することで、より厳密な評価が可能になりますのでお気軽にご相談ください。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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LEDの解体から蛍光体・LEDチップなど各材料の分析まで行います
省エネルギー化のキーデバイス照明用LEDについて、市販品を解体し、各材料の組成分析・不具合箇所特定・物理解析・不純物分析など実施します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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GaN系デバイス耐圧評価、及び、表面発熱分布評価のご提案
GaN系のLEDと高周波デバイスについて、故障解析に有効な2つの手法の測定事例をご紹介します。 LED素子でロックイン発熱解析を行うことで、発光に伴う発熱の有無とそのタイミングを可視化することができるため、特異的な挙動・特性を示す箇所があれば特定することが可能です。 高耐圧・高周波デバイスでエミッション顕微鏡観察を行うことで、ブレークダウンに伴う発光をとらえ、耐圧に問題のある箇所を特定すること...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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様々なAl組成のAlGaN標準試料をラインアップ
SIMS分析において、より確かな濃度定量値を算出するには測定サンプルと組成の近い標準サンプルを用いることが不可欠です。 紫外LEDやUVセンサに用いられるAlGaNについて、Al含有量に応じたAlGaN標準試料を幅広く取り揃えたことで、より高精度にAlGaN中不純物濃度を求めることができるようになりました。 UVセンサのSIMS分析を行い、ドーパントであるSi濃度を定量した事例を紹介します。....
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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断面マッピングにより、GaNの結晶成長の様子を評価可能
窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。それら製品の製造工程では、デバイス特性に影響を与える結晶欠陥の無い、高品質なGaN結晶の作製が求められます。 本資料では、c面上に形成したGaN基板（c-GaN基板）上に、c-GaN結晶を高速気相成長させたサンプルの結晶状態を評価した事例をご紹介します。...詳しいデータはカタ...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ガラス・水銀からデジタルへ。デジタル表示で一目で確認。モバイル電源（オ…
環境問題で、U字型真空計からデジル表示の真空計へ更新される企業様が増えています。 当社のデジタル真空計『NMV-104N/104C』は小型・軽量・低価格と3拍子揃っています。 0.1～101.3kPaの広い測定範囲と優れた分解能でU字型真空計の代替に好適です。 またガラス管の破損による水銀の飛散を防止でき、環境汚染対策にも役立ちます。 ★無料でデモ機を貸出キャンペーンを実施しています。...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社岡野製作所
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【資料】マイクロバブルの粒度分布（粒子径分布）と個数濃度評価
制御圧力を設定することで、効率良くバブルを生成できることを確認できまし…
当資料では、加圧溶解法式のバブル発生装置を用いて、生成条件の付加圧力を 変化させた場合の画像解析による粒度分布（粒子径分布）と個数変化の評価事例を紹介 しています。 マイクロバブルは、水産、農業、環境、そして工業などのさまざまな分野での 応用が期待され、洗浄や浄化効果についても多くの事例が発表されています。 マイクロバブルの生成手法として、加圧溶解法、剪断法、二相流旋回法、 エ...
メーカー・取り扱い企業： マイクロトラック・ベル株式会社
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個々粒子の粒子径評価において、XY軸に加えてZ軸「厚み」の評価が可能と…
樹脂ペレットのサイズ評価は、ノギスを用いたX軸、Y軸、そしてZ軸の 3次元（3D）評価、または篩法での計測が一般的ですが、いずれの方法も 計測の手間が課題です。 その解決策として、一般的な画像解析法による2次元（2D）評価や レーザ回折・散乱法などが挙げられますが、ノギス計測や篩法とはデータが 合わず、代替えとしては不十分でした。 ここでご紹介する「粒子形状評価・粒子径分布測定...
メーカー・取り扱い企業： マイクロトラック・ベル株式会社
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目的に合わせた測定条件で評価を行います
LEDやパワーデバイスに用いられるGaN膜について、XPSを用いて組成・結合状態を評価した例を紹介します。成膜条件や表面処理等により、組成や結合状態がどのように変わるのかを把握しておくことは、プロセス管理等に有効です。 評価の際は、目的に応じて使用するX線を適切に選択することが重要です。着目ごとの測定条件を併せてご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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GaN系LEDの主成分元素の組成を深さ方向に評価可能
一般的にSIMSでは含有量が％を超える主成分レベルの元素の定量性は低いとされていますが、一次イオンにCs+を用いたMCs+(M:着目元素）検出モードを用いることで、主成分元素の深さ方向の組成分布を求めることが可能です。 GaN系LED構造におけるAl,Ga,Inについて、深さ方向の組成評価を行った例を示します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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熱分解GC/MS法によるLED封止材の構造解析
エポキシ樹脂は耐熱性、耐薬品性、絶縁性に優れ、機械的強度も高いため、電子機器の絶縁材料、接着剤、塗料、建築材料など種々の用途に用いられています。しかし溶剤溶解性が無いことから、構造決定のための分析手段は限られてしまいます。本事例ではLEDの封止材として使用されているエポキシ樹脂の熱分解GC/MS測定を行った事例を紹介します。主剤および硬化剤の構造を反映した熱分解生成物が得られ、本樹脂はビスフェノー...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です
窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。その製造工程では、結晶欠陥の無い高品質なGaN結晶の作製が求められるため、イオン注入などによるダメージやその回復度合いの確認は重要な評価項目となっています。 本資料ではXAFSによってGaN基板へのイオン注入によるダメージを評価した事例をご紹介します。 GaN表面近傍における...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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