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PR様々な粉体を液体中に分散・溶解が可能! ダマや溶け残りなし・短時間処理…
粉体の液体中への分散・溶解というと、タンク内の大型撹拌機で攪拌する、もしくはハンドミキサーで小容量の攪拌を何回も繰り返す、というのが一般的かと思います。ただ、これらの方法ではダマや粉体の溶け残り、処理時間が遅い、作業者に負担がかかるなど、お悩みはありませんか? 弊社の粉体溶解機を使用すれば粉体投入口が腰の位置にあるため、作業者の負担が軽減され効率的な作業が可能です。また、短時間で処理ができ、ダマ...
メーカー・取り扱い企業: 関西乳機株式会社
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PR入荷品のテスト、プロセス中間体のモニタリング、最終製品配合のスクリーニ…
新しいNMR ベースの『Avance Chemical Profiling』モジュールは、 分光学の専門家とのやり取りを必要とせず、サンプルから実用的な 情報インテリジェンスまで、包括的なソフトウェアベースの自動化された エンド・ツー・エンドのワークフローです。 データ取得、処理、解釈、レポート作成などのタスクに対応。 純粋な形状または混合物中の物質の同定と定量を自動的に可能にし...
メーカー・取り扱い企業: ブルカージャパン株式会社 バイオスピン事業部
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ギ酸・水素還元対応 卓上型真空はんだリフロー装置 VSS-300
300mm角対応モデル。ローダー・アンローダーと連携可能で量産にも。 …
ター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ300mmウエハ時) ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):150K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):90K/min.(T=450℃>200℃)、60K/min.(T=200℃>100℃) ■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa) ■窒...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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必要な機能だけを気軽に使えるエントリーモデル(ユニテンプジャパン株式会…
mm 最大到達温度 250℃ 加熱方式 カートリッジヒーター(下部加熱) 温度制御方式 P.I.D.制御方式 プレート上面内温度差 設定温度に対して±1.5%以内 最大昇温速度 25K/min.(※対象物の熱容量に因る) 最大降温速度 10K/min.(※対象物の熱容量に因る) 窒素ガス 0.35~0.4 MPa(3.5~4 bar) プロセスガス供給ライン 手動ガス流量計 コ...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100
GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…
100 x 100mm ■加熱方式:IRヒーター ■最大到達温度:1200℃ ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):150K/sec. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):190K/min.(T=1200℃>400℃) ■冷却方式:窒素ガスパージ方式 ■真空到達度:10-1Pa ※HVモデルは 10-3Pa ■コントローラ:7インチタッチパネルコントローラ(SIMATIC製 ...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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ギ酸・水素還元対応 卓上型真空はんだリフロー装置 RSO-200
金属の焼結にも使える最大昇温速度600K/min.の超高速昇温対応モデ…
ター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ200mmウエハ時) ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):600K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):200K/min.(T=650℃>400℃)、60K/min.(T=200℃>100℃) ■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa) ■...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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ギ酸・水素還元対応 真空はんだリフロー装置 RSS-210-S
フラックスレス・ボイドフリー・鉛フリーなど高信頼性実装を実現するスタン…
ター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ200mmウエハ時) ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):240K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):120K/min.(T=400℃>200℃) ■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa) ■プロセスガス供給ライン:マスフローコントロー...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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ギ酸・水素還元対応 真空はんだリフロー装置 RSS-110-S
フラックスレス・ボイドフリー・鉛フリーなど高信頼性実装を実現するスタン…
ター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ100mmウエハ時) ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):120K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):180K/min.(T=450℃>200℃) ■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa) ■窒素ガス:0.35~0.4MPa(3.5~4...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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ギ酸・水素還元対応 真空はんだリフロー装置 RSS-160-S
フラックスレス・ボイドフリー・鉛フリーなど高信頼性実装を実現するスタン…
ター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ200mmウエハ時) ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):100K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):100K/min.(T=400℃>200℃) ■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa) ■プロセスガス供給ライン:マスフローコントロー...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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ギ酸・水素還元対応 卓上型真空はんだリフロー装置 RVS-210
フラックスなどによりコンタミが多く発生してもメンテナンスが容易なモデル…
ター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ200mmウエハ時) ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):120K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):120K/min.(T=400℃>200℃) ■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa) ■プロセスガス供給ライン:マスフローコントロー...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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ギ酸・水素還元対応真空はんだリフロー装置 RSS-3×210-S
対象物が大きい場合や同時作成にも適した、シリーズ最大の加熱プレートサイ…
加熱方式:クロス配列IRヒーター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1.5%以内 ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):120K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):90K/min.(T=300℃>200℃) ■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa) ■プロセスガス供給ライン:マスフローコントローラ...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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Φ12対応 高速アニール加熱システム VPO-1000-300
GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…
x 300mm ■加熱方式:クロス配列IRヒーター ■最大到達温度:1000℃ ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):75K/sec. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):190K/min.(T=1000℃>400℃) ■冷却方式:窒素ガスパージ方式 ■真空到達度:10-1Pa ■コントローラ:7インチタッチパネルコントローラ(SIMATIC製 TP-700) ■プロファイ...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150
GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…
ス配列IRヒーター ■最大到達温度:1000℃ ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):75K/sec. ※EPモデルは150K/sec. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):190K/min.(T=1200℃>400℃) ■冷却方式:窒素ガスパージ方式 ■真空到達度:10-1Pa ※HVモデルは 10-3Pa ■コントローラ:7インチタッチパネルコントローラ(SIMATIC製 ...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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