バックターン洗浄機　自動戻りシステム搭載

PR洗浄後にワークが自動的に戻ってくるため、一人での作業を実現。 移動…

『バックターン洗浄機』は、洗浄出口からワークの自重でコンベヤに落下し戻ってくる方式で、複雑な制御装置が要らず一人作業で、コスト削減が見込める洗浄システムとなっております。 掲載画像寸法：1,350(H)×1,813(W)×4,800(L)mm。 ※コンベヤー部も含めた寸法です。 ※お客様の仕様により寸法は変わります。 ※乾燥機を装備する事も可能です。 【特長】 ■一人作業でコス...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ヒタカ精機

廃水処理システム「AT-BCシステム」

PR低コストで廃水処理能力を大幅に向上可能！廃水処理設備を止めることなく増…

【増設】 「処理施設の能力不足」や「設置場所が無く増設が困難」といった悩みを AT-BC装置を既設槽上に載せるだけで一発解決！低コストで廃水処理能力を大幅に向上させることができます。活性汚泥法と回転生物接触法の２つの処理法を進化させた廃水処理システムです。 【特長】 ■廃水を止める事無く増設が可能　■工期は2週間程度 ■既設槽上にAT装置を載せるだけで能力が倍以上に ■設備投資費用は２...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社バチルテクノコーポレーション

【分析事例】Cu表面のXPSによる酸化状態評価

Cuスペクトルの成分分離、定量、膜厚算出

Cu2p3/2スペクトルとCuオージェスペクトル等の解析から、Cu表面の結合状態・定量評価・膜厚評価が可能です。 主な応用例として、Cu配線のCMP処理・洗浄の評価、Cu電極の錆・変色調査が挙げられます。 各種処理を施したCu表面状態および酸化膜厚についてまとめます。 （クリーンルーム環境下にて処理し、直後に測定を行うことが可能です。）...詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせくだ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SRA］広がり抵抗測定法

SRA：Spreading Resistance Analysis

SRAは測定試料を斜め研磨し、その研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です。 SRP（Spreading Resistance Profiling）とも呼ばれます。 ・ 導電型(p型/n型)の判定が可能 ・ 深さ方向のキャリア濃度分布の評価が可能 ・ 濃度約1E12～2E20 /cm3の広範囲のキャリア濃度の分析が可能 ・ 約20μｍ×100μｍ以上の大きさのパターン試...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Liの結合状態分析

他元素を波形解析することでLiの結合状態別存在比を算出出来ます

リチウムイオン二次電池において、SEI層(固体電解質界面)は電池の寿命に大きく関わる要素であり、そこに含まれるLiの化学種を知ることは重要です。Li自身はケミカルシフトが小さく直接の評価が困難ですが、結合相手元素（C,O,F,P）を波形解析で状態分離することにより、Liの結合状態別存在比を算出することが出来ます。サイクル試験前後のLiの状態評価をしたところ、試験後では試験前に比べて、Li2CO3,...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価

光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など厚さ数nm以下の極薄膜について、XPS分析によって膜厚を算出した事例をご紹介します。Siウエハ最表面のSi2pスペクトルを測定し、得られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合を求め、この結果と光電子の平均自由行程か ら膜厚を見積もることが可能です（式１）。 XPSでは非破壊かつ簡便に、広域の平均情報として基板上の薄膜厚みを...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SRAの濃度換算について

SRA：広がり抵抗測定法

１. 斜め研磨した試料面に2探針を接触させ直下の広がり抵抗（Ω）を測定する ２. 標準試料の測定より校正曲線＊）を作成し、それを用いて抵抗を比抵抗（Ω・cm）に換算するまた、必要に応じて体積補正による分布の補正を行う ＊)校正曲線は導電型(p型/n型)、および面方位によって異なります ３. 比抵抗とキャリア濃度の関係式＊）を用いてキャリア濃度(/cm3) を算出する...詳しいデータはカタ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】極浅注入プロファイルの評価

極浅い領域においてもドーパント分布・接合の評価が可能

デバイスの微細化により、極浅い領域における不純物の深さ方向分布評価の必要性が高まっています。 正確な評価を行うためには、通常よりも低いエネルギー(1keV以下)の一次イオンビームを用いたSIMS分析が必要になります。図1にBF2+ 1keV, P+ 1keV, As+ 1keVで注入されたSiウエハを一次イオンビームエネルギー250eV～300eVを用いて測定した例を示します。...詳しいデータ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Cu表面の酸化状態の定量

Cuスペクトルの複合解析

Cu2p3/2スペクトルとCuオージェスペクトル等の解析から、Cu表面の結合状態・定量評価・膜厚評価が可能です。 主な応用例として、Cu配線のCMP処理・洗浄の評価、Cu電極の錆・変色調査が挙げられます。 以下、各種処理を施したCu表面状態および酸化膜厚についてまとめます。 （クリーンルーム環境下にて処理し、直後に測定を行うことが可能です。）...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析2

目的に応じた分析条件で測定します

市販品SiCパワーMOS FETのドーパント元素であるN,Al,Pの深さ方向濃度分布を複数の分析モードで評価した事例を紹介します。 分析目的によってはそれぞれの元素を最適な条件で別々に測定せず、複数の元素を同時に測定することが可能です。多元素同時測定した場合と、それぞれの元素に着目した条件で測定した場合の事例を示します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】有機薄膜太陽電池活性層の混合状態評価

低加速STEM観察とEELS測定による有機材料の分布状態評価

低加速STEM観察とSTEM-EELS面分析により、バルクへテロ接合型太陽電池の活性層の混合状態の評価を行いました。評価にはITO上に活性層のみを成膜した試料を用いました。 低加速STEM像（写真1）のコントラストはSTEM-EELS像のS, Cの元素分布(写真2, 3)と対応しており、バルクヘテロ構造を反映していることが確認できました。また、Sの分布に偏りが認められ、表面側にP3HTが偏析して...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価

光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など、厚さ数nm以下の極薄膜について、サンプル最表面のSi2pスペクトルを測定します。得られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合を求め、この結果と光電子の平均自由行程から膜厚を見積もります（式１）。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST